一种高温、高功率场效应晶体管的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种基于ｐ型掺杂单晶金刚石薄膜的高温、高功率金属－氧化物－半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明专利技术的主要特点是：在ｐ型硼掺杂单晶金刚石薄膜上，制作源电极、漏电极和栅电极；源、漏电极采用金电极，而栅电极采用铅电极；在栅电极与ｐ型金刚石薄膜之间采用ＳｉＯｘ作为绝缘层。采用微波等离子体化学气相沉积方法（ＭＰＣＶＤ）沉积ｐ型硼掺杂单晶金刚石薄膜，并以此为基础制备出半导体场效应晶体管器件，该器件稳定工作温度可达到６９０℃。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基于p型掺杂单晶金刚石薄膜的高温、高功率金属-氧化物-半 导体场效应晶体管(M0SFET)的制备方法，属于无机金属材料器件制造工艺的

技术介绍
场效应晶体管(field effect transistor, FET)是一种三端有源器件，通过第三 端(栅极)的电源来控制另外两端(源极、漏极)的电流的大小。在各种FET中氧化物-半 导体场效应晶体管(M0SFET)是微处理器和半导体存储器等超大规模集成电路中最重要、 应用最广泛的器件。目前FET —般采用Si和GaAs材料。但这些材料由于受到本身物理性质的限制， 其器件工作温度比较低(理论极限工作温度小于150°C )，在高温、高频、大功率领域越来越 显示其局限性，且不适宜于高辐射、腐蚀性条件。随着技术的不断进步及社会要求的不断提 高，人们对“极端器件”(能工作在高功率、高温、恶劣环境下的器件)需求迅速增加，这就 要求一种新的半导体材料来实现极端器件”。金刚石是一种集多种优良性能于一体的功能 材料，具有高击穿电场、高饱和载流子漂移速率、高热导率等特性。另外，金刚石还具有良好 的化学稳定性、优良的机械性能、磨擦本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高温、高功率场效应晶体管的制备方法。其特征在于具有以下的工艺过程和步骤：ａ、ｐ型硼掺杂单晶金刚石薄膜的制备（１）以购得的Ｉｂ型单晶金刚石作为衬底，在该衬底上沉积硼掺杂单晶金刚石薄膜：首先将经抛光的Ｉｂ型单晶金刚石在丙酮溶液中超声清洗１０～２０分钟，烘干后放入微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）装置中；（２）先用真空泵对微波等离子体气相沉积（ＭＰＣＶＤ）反应室抽真空至５～７Ｐａ，然后用分子泵在对反应室抽真空至１０－２Ｐａ以下，然后通入甲烷、氢气和乙硼烷的混合反应气体；调节甲烷、氢气和乙硼烷的流量分别为１～１０标准毫升／分、１１０～１５０标准毫升／分和１～１０标准毫升／分，反应室的气压设定为...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王林军，张凤娟，黄健，唐可，曾庆锴，夏辅元，张继军，闵嘉华，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]