【技术实现步骤摘要】
本申请涉及单晶硅加工领域，具体地涉及一种单晶硅棒的制备方法及单晶炉。
技术介绍
1、随着技术的发展，太阳能设备的应用越来越广泛，通过单晶炉制作单晶硅棒是太阳能设备重要的加工步骤。然而在单晶硅棒加工的过程中，单晶硅棒容易与坩埚传输的氧接触，导致单晶硅棒的氧含量增高，影响单晶硅棒的质量。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种单晶硅棒的制备方法及单晶炉，以提升单晶硅棒的质量。
2、本申请提供了一种单晶硅棒的制备方法，所述单晶硅棒通过单晶炉拉制而成，所述单晶炉的坩埚的深度为680毫米至800毫米，所述单晶硅棒的制备方法包括：
3、向所述坩埚初次加入硅料，所述坩埚内的所述硅料与所述坩埚的接触面积为a，所述坩埚内的所述硅料的液面与外界的接触面积为b，且3.0≤a/b≤3.9。
4、在一种可能的实施方式中，拉晶过程中，当a/b满足1.2≤a/b≤1.5时，向所述坩埚补料。
5、在一种可能的实施方式中，拉晶结束后，所述硅料的留埚率为30％至40％，和/或，单次拉晶结束后，所述硅料的留埚量为300千克至410千克。
6、在一种可能的实施方式中，在向所述坩埚初次加入硅料时，先加入一层线性宽度在20毫米至70毫米的所述硅料，再加入线性宽度在70毫米至210毫米的所述硅料，并在70毫米至210毫米的所述硅料的与所述坩埚的内壁之间加入线性宽度在20毫米至70毫米的所述硅料。
7、在一种可能的实施方式中，在向所述坩埚初次加入硅料时，
8、重复上述步骤至初次加料完成。
9、在一种可能的实施方式中，每次加入的线性宽度在70毫米至210毫米的所述硅料的质量逐渐减少。
10、在一种可能的实施方式中，线性宽度在20毫米至70毫米的硅料占初次加入的硅料总量的27％至35％。
11、在一种可能的实施方式中，所述制备方法包括：
12、对所述坩埚的硅料进行熔料，当所述硅料的线性宽度均小于150毫米时，将所述单晶炉调整为负压状态并向所述单晶炉内通入氩气。
13、在一种可能的实施方式中，在制备过程中，当所述硅料的线性宽度均小于150毫米时，将所述单晶炉的炉压调整为4torr至8torr。
14、在一种可能的实施方式中，在制备过程中，当所述硅料的线性宽度均小于150毫米时，通入氩气的流速为c，且100lmp＜c≤150lmp。
15、在一种可能的实施方式中，所述单晶炉包括加热件和用于放置坩埚的埚帮，在向所述坩埚加入硅料，所述坩埚内的所述硅料与所述坩埚的接触面积为a，所述坩埚内的所述硅料的液面与气体的接触面积为b，且1.2≤a/b≤3.7后，所述制备方法包括：
16、使所述埚帮的上沿高于所述加热件上沿，且所述埚帮的上沿与所述加热件的上沿之间的距离不超过200毫米；
17、将所述坩埚移入所述单晶炉；
18、抬升所述埚帮至所述埚帮与所述坩埚抵接。
19、在一种可能的实施方式中，将所述坩埚放入所述单晶炉的步骤包括：
20、将所述坩埚上沿伸入所述单晶炉的第一保温件的上沿的50毫米至130毫米。
21、本申请还提供了一种单晶炉，所述单晶炉包括坩埚，所述坩埚的深度为680毫米至800毫米；
22、所述单晶炉包括主体部和底板组件，所述主体部安装于所述底板组件；所述主体部具有容纳腔，所述坩埚位于所述容纳腔；
23、沿所述单晶炉的高度方向，所述主体部包括第一主体部、第二主体部和垫块所述第一主体部位于所述主体部靠近所述底板组件的一侧，所述第二主体部位于所述第一主体部远离所述底板组件的一侧，所述垫块位于所述第一主体部和所述第二主体部之间。
24、在一种可能的实施方式中，所述单晶炉包括埚帮，所述埚帮用于放置所述坩埚，所述埚帮和/或所述坩埚能够沿所述单晶炉的高度方向相对于所述底板组件运动。
25、本申请实施例提供的一种单晶硅棒的制备方法及单晶炉，单晶硅棒通过单晶炉拉制而成，单晶炉的坩埚深度为680毫米至800毫米。单晶硅棒的制备方法包括：向坩埚初次加入硅料，坩埚内的硅料与坩埚的接触面积为a，坩埚内的硅料的液面与外界的接触面积为b，且1.2≤a/b≤3.7。通过这样的方式可以增加坩埚的投料量，使得单晶硅棒的头部尽可能少的接收坩埚底部传输的氧，从而使得单晶硅棒头部的氧含量降低，有利于提高单晶硅棒的质量，更加符合实际的使用需求。
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1.一种单晶硅棒的制备方法，其特征在于，所述单晶硅棒通过单晶炉拉制而成，所述单晶炉的坩埚(7)的深度为680毫米至800毫米，所述单晶硅棒的制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的单晶硅棒的制备方法，其特征在于，拉晶过程中，当a/b满足1.2≤a/b≤1.5时，向所述坩埚(7)补料。
3.根据权利要求1所述的单晶硅棒的制备方法，其特征在于，拉晶结束后，所述硅料的留埚率为30％至40％，和/或，单次拉晶结束后，所述硅料的留埚量为300千克至410千克。
4.根据权利要求1所述的单晶硅棒的制备方法，其特征在于，在向所述坩埚(7)初次加入硅料时，先加入一层线性宽度在20毫米至毫米70毫米的所述硅料，再加入线性宽度在70毫米至210毫米的所述硅料，并在70毫米至210毫米的所述硅料的与所述坩埚(7)的内壁之间加入线性宽度在20毫米至毫米70毫米的所述硅料。
5.根据权利要求4所述的单晶硅棒的制备方法，其特征在于，在向所述坩埚(7)初次加入硅料时，先加入一层40千克至90千克的线性宽度在20毫米至70毫米的所述硅料，再加入40千克至210千克
6.根据权利要求5所述的单晶硅棒的制备方法，其特征在于，每次加入的线性宽度在70毫米至210毫米的所述硅料的质量逐渐减少。
7.根据权利要求4所述的单晶硅棒的制备方法，其特征在于，线性宽度在20毫米至70毫米的硅料占初次加入的硅料总量的27％至35％。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的单晶硅棒的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
9.根据权利要求8中任一项所述的单晶硅棒的制备方法，其特征在于，在制备过程中，当所述硅料的线性宽度均小于150毫米时，将所述单晶炉的炉压调整为4Torr至8Torr。
10.根据权利要求8所述的单晶硅棒的制备方法，其特征在于，在制备过程中，当所述硅料的线性宽度均小于150毫米时，通入氩气的流速为c，且100lmp＜c≤150lmp。
11.根据权利要求1至7中任一项所述的单晶硅棒的制备方法，其特征在于，所述单晶炉包括加热件(5)和用于放置坩埚(7)的埚帮(8)，在向所述坩埚(7)加入硅料，所述坩埚(7)内的所述硅料与所述坩埚(7)的接触面积为a，所述坩埚(7)内的所述硅料的液面与气体的接触面积为b，且1.2≤a/b≤3.7后，所述制备方法包括：
12.根据权利要求11所述的单晶硅棒的制备方法，其特征在于，将所述坩埚(7)放入所述单晶炉的步骤包括：
13.一种单晶炉，其特征在于，所述单晶炉包括坩埚(7)，所述坩埚(7)的深度为680毫米至800毫米；
14.根据权利要求13所述的单晶炉，其特征在于，所述单晶炉包括埚帮(8)，所述埚帮(8)用于放置所述坩埚(7)，所述埚帮(8)和/或所述坩埚(7)能够沿所述单晶炉的高度方向相对于所述底板组件(1)运动。
...【技术特征摘要】
1.一种单晶硅棒的制备方法，其特征在于，所述单晶硅棒通过单晶炉拉制而成，所述单晶炉的坩埚(7)的深度为680毫米至800毫米，所述单晶硅棒的制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的单晶硅棒的制备方法，其特征在于，拉晶过程中，当a/b满足1.2≤a/b≤1.5时，向所述坩埚(7)补料。
3.根据权利要求1所述的单晶硅棒的制备方法，其特征在于，拉晶结束后，所述硅料的留埚率为30％至40％，和/或，单次拉晶结束后，所述硅料的留埚量为300千克至410千克。
4.根据权利要求1所述的单晶硅棒的制备方法，其特征在于，在向所述坩埚(7)初次加入硅料时，先加入一层线性宽度在20毫米至毫米70毫米的所述硅料，再加入线性宽度在70毫米至210毫米的所述硅料，并在70毫米至210毫米的所述硅料的与所述坩埚(7)的内壁之间加入线性宽度在20毫米至毫米70毫米的所述硅料。
5.根据权利要求4所述的单晶硅棒的制备方法，其特征在于，在向所述坩埚(7)初次加入硅料时，先加入一层40千克至90千克的线性宽度在20毫米至70毫米的所述硅料，再加入40千克至210千克线性宽度在70毫米至210毫米的所述硅料，并在70毫米至210毫米的所述硅料的与所述坩埚(7)的内壁之间加入线性宽度在20毫米至70毫米的所述硅料；
6.根据权利要求5所述的单晶硅棒的制备方法，其特征在于，每次加入的线性宽度在70毫米至210毫米的所述硅料的质量逐渐减少。
7.根据权利要求4所述的单晶硅棒的制备...
【专利技术属性】
技术研发人员：向鹏，欧子杨，李旭帆，李永辉，杨宇昂，
申请(专利权)人：晶科能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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