存储器和存取方法技术

本申请实施例提供了一种存储器，其中，该存储器包括：第一存储单元、灵敏放大器、第一位线、第二位线、第一隔离器、第二隔离器、第三隔离器、第四隔离器和控制器；第一位线连接所述第一存储单元和所述灵敏放大器的第一输出，第二位线连接所述灵敏放大器的第二输出，所述第一隔离器连接所述第一位线和所述灵敏放大器的所述第一输出，所述第二隔离器连接所述第二位线和所述灵敏放大器的所述第二输出，所述第三隔离器连接所述第一位线和所述灵敏放大器的所述第二输出，所述第四隔离器连接所述第二位线和所述灵敏放大器的所述第一输出。本申请技术方案能够将存储单元整个访问周期内的单边扰动转换为双边扰动，减少了单边扰动对电容器的影响。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及半导体领域，具体涉及一种存储器和存取方法。

技术介绍

1、近年来，人工智能、边缘计算等新兴应用场景的需求不断增加，对传统存储器的容量、功耗和速率提出了一定挑战，促使新型存储器不断发展。铁电存储器作为一种新型存储器，具有非易失性，读写速度高，低功耗等优势。m个晶体管和n个电容器(m transistor andn capacitors，mtnc)结构的出现极大的提高了铁电存储器的存储密度，但目前其类似动态随机存取存储器(dynamic random access memory like，dram-like)的读取方式，铁电电容器会出现半选电压的扰动(disturb)问题，尤其是单边扰动，严重降低了存储器的数据可靠性，增加了系统功耗。

2、因此，如何降低电容器受到的单边扰动，提高数据存储的可靠性是一个亟待解决的问题。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种存储器和存取方法，能够将存储单元整个访问周期内的单边扰动转换为双边扰动，减少了单边扰动对电容器的影响。

<p>2、第一方面，提本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，若所述回写完成之前，所述第一位线的电压为第一正电压，所述第二位线的电压为第二正电压，则所述回写完成之后，所述第一位线的电压为所述第二正电压，所述第二位线的电压为所述第一正电压；

3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述第一正电压＝Vw/2，所述第二正电压＝Vw，其中Vw表示所述第一存储单元的写操作电压。

4.根据权利要求1至3任一项所述的存储器，其特征在于，所述第一隔离器位于所述第三隔离器和所述灵敏放大器之间，所述第二隔离器位于所述第四隔离器和所述灵敏放大器之间。<...

【技术特征摘要】

1.一种存储器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，若所述回写完成之前，所述第一位线的电压为第一正电压，所述第二位线的电压为第二正电压，则所述回写完成之后，所述第一位线的电压为所述第二正电压，所述第二位线的电压为所述第一正电压；

3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述第一正电压＝vw/2，所述第二正电压＝vw，其中vw表示所述第一存储单元的写操作电压。

4.根据权利要求1至3任一项所述的存储器，其特征在于，所述第一隔离器位于所述第三隔离器和所述灵敏放大器之间，所述第二隔离器位于所述第四隔离器和所述灵敏放大器之间。

5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，在所述回写完成之后，所述第一存储单元的浮栅极与所述第一位线的电压相同，所述第一存储单元的多个电容器的第一极板与所述浮栅极连接。

6.根据权利要求1至5任一项所述的存储器，其特征在于，所述第一隔离器、所述第二隔离器、所述第三隔离器和所述第四隔离器包括隔离(isolation，iso)管。

7.根据权利要求1至6任一项所述的存储器，其特征在于，所述第一位线和所述第二位线通过第一导线连接，所述第一隔离器位于所述第一位线上，所述第二隔离器位于所述第二位线上，所述第三隔离器和所述第四隔离器位于所述第一导线上。

8.一种存取存储器的方法，其特征在于，所述方法应用于包含有第一存储单元、灵敏放大器、第一位线、第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐亮，卜思童，方亦陈，许俊豪，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：