【技术实现步骤摘要】
涉及存储器阵列重置读取操作。
技术介绍
1、下文大体上涉及一种系统及存储器装置，且更特定地说，涉及一种三维(three-dimensional，3d)与非(not-and，nand)存储器上的重置读取操作。
2、系统可包含经由一或多个总线耦合以在例如计算机、无线通信装置、物联网、相机、数字显示器等等的多个电子装置中管理信息的各种种类的存储器装置及控制器。存储器装置广泛地用以在此类电子装置中存储信息。通过编程存储器单元的不同状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元具有两个状态，通常被表示为逻辑“1”或逻辑“0”。多于两个状态可存储于存储器单元中。为了存取所存储信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的所存储状态。为了存储信息，电子装置的组件可在存储器装置中写入或编程状态。
3、存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(random accessmemory，ram)、只读存储器(read only memory，rom)、动态ram(dynamic ram，dram)、同步动态ram(synchronous dynamic ram，sdram)、铁电ram(ferroelectric ram，feram)、磁性ram(magnetic ram，mram)、电阻性ram(resistive ram，rram)、快闪存储器、相变存储器(phasechange memory，pcm)、3维交叉点存储器(3-dimensional cross-point memory，3dxpointtm me
4、大体来说，改进存储器装置可包含增大存储器单元密度、提高读取/写入速度、增强可靠性、延长数据保持、降低功率消耗或缩减制造成本，以及其它度量。存储器装置的此改进可产生提高的系统性能。然而，在一些状况下，存储器单元的阈值电压分布的扩宽会产生会不利地影响系统性能的提高的读取窗口预算及提高的位误差率。
技术实现思路
1、描述了一种方法。所述方法可涉及：识别用于将存储器阵列的至少一个部分设置为临时状态的读取命令的部分；基于所述读取命令的所述部分而识别所述存储器阵列的所述至少一个部分；及基于识别所述存储器阵列的所述至少一个部分而对所述存储器阵列的所述至少一个部分执行所述读取命令的所述部分。
2、描述了一种方法。所述方法可涉及：起始将存储器阵列的至少一个部分设置为临时状态的重置读取命令；基于所述起始而向与所述至少一个部分相关联的所有字线施加增大至高于所述至少一个部分的存储器单元的阈值电压的第一电压的电压；基于所述起始而向所述至少一个部分的至少一个选择栅极装置的至少一个栅极施加增大至高于所述至少一个选择栅极装置的第二阈值电压的第二电压的电压；及基于所述起始而将所述至少一个部分的节点设置为第三电压。
3、描述了一种设备。所述设备可包含：存储器阵列；处理器；控制器，其与所述存储器阵列及所述处理器耦合。所述控制器可操作以：识别用于将所述存储器阵列的至少一个部分设置为临时状态的读取命令的部分；基于所述读取命令的所述部分而识别所述存储器阵列的所述至少一个部分；及基于识别所述存储器阵列的所述至少一个部分而对所述存储器阵列的所述至少一个部分执行所述读取命令的所述部分。
4、描述了一种设备。所述设备可包含：存储器阵列；处理器；控制器，其与所述存储器阵列及所述处理器耦合。所述控制器可操作以：起始将所述存储器阵列的至少一个部分设置为临时状态的重置读取命令；基于所述起始而将施加至与所述至少一个部分相关联的所有字线的电压增大至高于所述至少一个部分的存储器单元的阈值电压的第一电压；基于所述起始而将施加至所述至少一个部分的至少一个选择栅极装置的至少一个栅极的电压增大至高于所述至少一个选择栅极装置的第二阈值电压的第二电压；及基于所述起始而将所述至少一个部分的节点设置为第三电压。
5、描述了一种方法。所述方法可涉及：接收对存储器阵列执行读取命令的部分的请求；基于接收到的所述请求而识别所述存储器阵列的多个部分；及基于识别所述多个部分而对所述多个部分同时执行截断读取操作以将所述多个部分设置为处于第一状态下。
6、描述了一种设备。所述设备可包含：用于识别用于将存储器阵列的至少一个部分设置为临时状态的读取命令的部分的构件；用于基于所述读取命令的所述部分而识别所述存储器阵列的所述至少一个部分的构件；及用于基于识别所述存储器阵列的所述至少一个部分而对所述存储器阵列的所述至少一个部分执行所述读取命令的所述部分的构件。
7、描述了一种设备。所述设备可包含：用于起始将存储器阵列的至少一个部分设置为临时状态的重置读取命令的构件；用于基于所述起始而向与所述至少一个部分相关联的所有字线施加增大至高于所述至少一个部分的存储器单元的阈值电压的第一电压的电压的构件；用于基于所述起始而向所述至少一个部分的至少一个选择栅极装置的至少一个栅极施加增大至高于所述至少一个选择栅极装置的第二阈值电压的第二电压的电压的构件；及用于基于所述起始而将所述至少一个部分的节点设置为第三电压的构件。
8、描述了一种设备。所述设备可包含：用于识别用于将存储器阵列的至少一个部分设置为临时状态的读取命令的部分的构件；用于基于所述读取命令的所述部分而识别所述存储器阵列的所述至少一个部分的构件；及用于基于识别所述存储器阵列的所述至少一个部分而对所述存储器阵列的所述至少一个部分执行所述读取命令的所述部分的构件。
9、描述了一种设备。所述设备可包含：用于起始将存储器阵列的至少一个部分设置为临时状态的重置读取命令的构件；用于基于所述起始而将施加至与所述至少一个部分相关联的所有字线的电压增大至高于所述至少一个部分的存储器单元的阈值电压的第一电压的构件；用于基于所述起始而将施加至所述至少一个部分的至少一个选择栅极装置的至少一个栅极的电压增大至高于所述至少一个选择栅极装置的第二阈值电压的第二电压的构件；及用于基于所述起始而将所述至少一个部分的节点设置为第三电压的构件。
10、描述了一种设备。所述设备可包含：用于接收对存储器阵列执行读取命令的部分的请求的构件；用于基于接收到的所述请求而识别所述存储器阵列的多个部分的构件；及用于基于识别所述多个部分而对所述多个部分同时执行截断读取操作以将所述多个部分设置为处于第一状态下的构件。
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1.一种用于操作存储器设备的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述完整读取操作包括所述恢复部分和数据感测部分，且其中所述恢复部分将所述存储器阵列的所述至少一个部分设置为所述第一状态。
3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一状态包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器阵列的所述至少一个部分对应于所述存储器阵列的块。
8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述存储器阵列的所述多个部分包括所述存储器阵列的总数量个块。
12.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：
14.一种用于
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述重置读取操作包括：
16.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：
17.一种用于操作存储器设备的方法，其包括：
18.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括：
19.根据权利要求17所述的方法，其中执行所述重置读取操作包括：
20.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括：
...【技术特征摘要】
1.一种用于操作存储器设备的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述完整读取操作包括所述恢复部分和数据感测部分，且其中所述恢复部分将所述存储器阵列的所述至少一个部分设置为所述第一状态。
3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一状态包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器阵列的所述至少一个部分对应于所述存储器阵列的块。
8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：
10.根据权利要求9所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·宾福特，M·赫尔姆，W·菲利皮亚克，M·霍斯，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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