【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体领域，特别涉及一种晶体管及其制作方法。
技术介绍
1、增强型晶体管广泛应用于电子领域。
2、相关技术给出了一种增强型晶体管的制作方法，该方法包括：在衬底上制作成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、盖帽层以及栅极金属层，对栅极金属层以及盖帽层进行干法蚀刻以形成栅极，在栅极与势垒层表面制作钝化层，并对钝化层进行干法蚀刻以形成漏极制备孔与源极制备孔，在漏极制备孔与源极制备孔中分别制作漏极与源极。
3、但是，相关技术中使用的干法蚀刻为等离子刻蚀，等离子体会对位于盖帽层或钝化层之下的势垒层造成晶格损伤，并且会引入额外的缺陷能级，从而降低位于势垒层与沟道层之间的二维电子气的浓度，导致器件漏电压变大和导通电阻变大。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种晶体管及其制作方法。所述技术方案如下：
2、一方面，提供了一种晶体管的制作方法，所述方法包括：
3、在半导体层表面制作牺牲氧化层；
4、采用湿法蚀刻对所述牺牲氧化层进行图形化处理，以
【技术保护点】
1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲氧化层由SiO2、SiN中的一种或多种形成。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲氧化层的厚度至少大于所述盖帽层与所述栅极金属层厚度之和。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体层包括依次层叠在所述衬底表面的成核层、缓冲层、沟道层以及势垒层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述势垒层包括位于所述第一凹槽底部的第五部分与位于所述牺牲氧化层底部的第六部分，所述第五部分的厚度小于所述第
【技术特征摘要】
1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲氧化层由sio2、sin中的一种或多种形成。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲氧化层的厚度至少大于所述盖帽层与所述栅极金属层厚度之和。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体层包括依次层叠在所述衬底表面的成核层、缓冲层、沟道层以及势垒层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述势垒层包括位于所述第一凹槽底部的第五部分与位于所述牺牲氧化层底部的第六部分，所述第五部分的厚度小于所述第六部分的厚度。
...【专利技术属性】
技术研发人员：吴志浩，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：
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