【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体领域，特别涉及一种晶体管及其制作方法。
技术介绍
1、增强型晶体管广泛应用于电子领域。
2、相关技术给出了一种增强型晶体管的制作方法，该方法包括：在衬底上制作成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、盖帽层以及栅极金属层，对栅极金属层以及盖帽层进行干法蚀刻以形成栅极，在栅极与势垒层表面制作钝化层，并对钝化层进行干法蚀刻以形成漏极制备孔与源极制备孔，在漏极制备孔与源极制备孔中分别制作漏极与源极。
3、但是，相关技术中使用的干法蚀刻为等离子刻蚀，等离子体会对位于盖帽层或钝化层之下的势垒层造成晶格损伤，并且会引入额外的缺陷能级，从而降低位于势垒层与沟道层之间的二维电子气的浓度，导致器件漏电压变大和导通电阻变大。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种晶体管及其制作方法。所述技术方案如下：
2、一方面，提供了一种晶体管的制作方法，所述方法包括：
3、在半导体层表面制作牺牲氧化层；
4、采用湿法蚀刻对所述牺牲氧化层进行图形化处理，以形成第一凹槽；
5、制作盖帽层，所述盖帽层包括位于所述第一凹槽中的第一部分与位于所述第一凹槽外的第二部分；
6、制作栅极金属层，所述栅极金属层包括位于所述第一部分表面的第三部分与位于所述第二部分表面的第四部分；
7、去除所述盖帽层的第二部分以及所述栅极金属层的第四部分，以形成栅极；
8、采用湿法蚀刻去除所述牺牲氧化层；
9、制作图形化的钝
10、分别在所述漏极凹槽与所述源极凹槽中制作漏极与源极。
11、可选地，所述牺牲氧化层由sio2、sin中的一种或多种形成。
12、可选地，所述牺牲氧化层的厚度至少大于所述盖帽层与所述栅极金属层厚度之和。
13、可选地，所述半导体层包括依次层叠在所述衬底表面的成核层、缓冲层、沟道层以及势垒层。
14、可选地，所述势垒层包括位于所述第一凹槽底部的第五部分与位于所述牺牲氧化层底部的第六部分，所述第五部分的厚度小于所述第六部分的厚度。
15、可选地，所述采用湿法蚀刻对所述牺牲氧化层进行图形化处理，以形成第一凹槽，包括：
16、在所述牺牲氧化层表面制作图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层覆盖第一凹槽区域之外的所述牺牲氧化层；
17、采用缓冲氧化物刻蚀剂boe腐蚀或稀氢氟酸刻蚀剂dhf腐蚀去除所述第一凹槽区域的所述牺牲氧化层以形成所述第一凹槽。
18、可选地，所述制作图形化的钝化层，包括：
19、制作覆盖所述半导体层以及所述栅极的钝化层；
20、在所述钝化层表面制作图形化的光刻胶层，所述光刻胶层覆盖漏极区域以及源极区域之外的所述钝化层；
21、采用湿法蚀刻去除漏极区域以及源极区域的所述钝化层，以形成所述漏极凹槽与所述源极凹槽。
22、可选地，所述采用湿法蚀刻去除漏极区域以及源极区域的所述钝化层，以形成所述漏极凹槽与所述源极凹槽，包括：
23、采用boe腐蚀或dhf腐蚀去除所述源极凹槽区域以及所述漏极凹槽区域的所述钝化层，以形成所述源极凹槽与所述漏极凹槽。
24、可选地，所述分别在所述漏极凹槽与所述源极凹槽中制作漏极与源极，包括：
25、制作源漏极金属层，所述源漏极金属层覆盖所述源极凹槽、所述漏极凹槽以及所述钝化层表面；
26、在所述源漏极金属层表面形成图形化的源漏极金属保护层，所述源漏极金属保护层覆盖源极区域、漏极区域的源漏极金属层；
27、采用湿法蚀刻去除源极区域以及漏极区域之外的源漏极金属层，以形成源极与漏极。
28、另一方面，提供了一种晶体管，所述晶体管由如上任意一项所述的方法形成。
29、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
30、在本公开中，通过在半导体层表面制作牺牲氧化层，在牺牲氧化层表面采用湿法蚀刻制作第一凹槽，在第一凹槽之中制作盖帽层以及栅极。通过牺牲氧化层保护半导体层中与牺牲氧化层相邻的势垒层，避免干法蚀刻去除盖帽层的第二部分以及栅极金属层的第四部分时，对势垒层造成损伤，从而降低位于势垒层与沟道层之间的二维电子气的浓度。并且，采用湿法蚀刻形成第一凹槽，也可以避免对势垒层造成损伤。从而，可以避免由于干法蚀刻形成栅极导致的二维电子气浓度降低，造成漏电压变大以及导通电阻变大的问题，提升器件的性能。
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1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲氧化层由SiO2、SiN中的一种或多种形成。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲氧化层的厚度至少大于所述盖帽层与所述栅极金属层厚度之和。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体层包括依次层叠在所述衬底表面的成核层、缓冲层、沟道层以及势垒层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述势垒层包括位于所述第一凹槽底部的第五部分与位于所述牺牲氧化层底部的第六部分，所述第五部分的厚度小于所述第六部分的厚度。
6.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述采用湿法蚀刻对所述牺牲氧化层进行图形化处理，以形成第一凹槽，包括：
7.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述制作图形化的钝化层，包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述采用湿法蚀刻去除漏极区域以及源极区域的所述钝化层，以形成所述漏极凹槽与所述源极凹槽，包括：
9.根据权
10.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管由权利要求1至9中任意一项所述的方法形成。
...【技术特征摘要】
1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲氧化层由sio2、sin中的一种或多种形成。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲氧化层的厚度至少大于所述盖帽层与所述栅极金属层厚度之和。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体层包括依次层叠在所述衬底表面的成核层、缓冲层、沟道层以及势垒层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述势垒层包括位于所述第一凹槽底部的第五部分与位于所述牺牲氧化层底部的第六部分，所述第五部分的厚度小于所述第六部分的厚度。
...【专利技术属性】
技术研发人员：吴志浩，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：
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