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本公开提供了一种晶体管及其制作方法，属于半导体器件领域。所述方法包括：在半导体层表面制作牺牲氧化层；采用湿法蚀刻对所述牺牲氧化层进行图形化处理，以形成第一凹槽；制作盖帽层，所述盖帽层包括位于所述第一凹槽中的第一部分与位于所述第一凹槽外的第二...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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