【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种微半导体结构的目标基板，特别是关于一种受批量移转后而具有微半导体结构的目标基板。
技术介绍
1、微发光二极管在巨量移转的实务上，有其技术门坎与限制。
2、传统发光二极管(边长超过100微米)通常在外延(epitaxy)制程后，通过一系列制程形成数组排列的发光二极管晶粒，欲转置于一承载底材上，其采用一选取头(pick-uphead)对应一晶粒的方式，自前述承载底材执行挑选与转移。然而，发光二极管一进入微米化，即发生：微发光二极管晶粒的边长尺寸相对较小(如100微米以下、或以下等级)，选取头的尺寸有微缩下限，选取头的尺寸大于发光二极管晶粒的尺寸，而无法有效拾取微发光二极管晶粒；又，微米化意谓同尺寸晶圆所能成形的晶粒数量将巨量增加，传统制程中一对一拾取使微发光二极管的产率极低。
3、业界有利用微接触印刷(micro contact printing)技术，使聚合物材料模板上预设有巨量的凹凸图案，用来对应所要选取的微发光二极管晶粒，以达到巨量移转至一目标基板的要求。但实务上，聚合物材料本身必须兼具硬度与黏性的特性，以在重复黏取的制程中保持不变形。
4、因此，业界亟需提供一种有效且创新的巨量移转技术。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术可对一目标基板形成微接触凸部的图样化，以便对复数个微半导体结构进行选择性地的批量黏取，进而提供一种具微半导体结构的目标基板。
2、为此，本专利技术提出一种具微半导体结构的目标基板，包括一目
3、为此，本专利技术提出一种具微半导体结构的目标基板，包括一目标基板、设于目标基板的复数个微半导体结构、以及连接各所述微半导体结构至目标基板之一第一接着组件与一第二接着组件。其中，目标基板具一板体、与设于板体上的复数个导电部；其中，各所述微半导体结构具有一本体、与设于本体上的至少一电极。其中，第一接着组件由各所述微半导体结构的所述至少一电极与所述目标基板所对应的导电部呈共晶接着所构成；所述第二接着组件连接各所述微半导体结构的本体至目标基板的板体，且第二接着组件由至少一微接触凸部所构成。
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1.一种显示装置，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述微接触凸部包括设置在所述基板上的底表面、支撑所述微发光二极管的顶表面、以及连接所述底表面和所述顶表面的侧表面。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述微接触凸部的所述侧表面在截面图中具有直线形状。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述底表面的面积大于所述顶表面的面积。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述底表面的面积小于所述顶表面的面积。
6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述底表面的面积与所述顶表面的面积相同。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述微接触凸部包括连续性图案，所述连续性图案围绕所述微发光二极管的所述至少一个电极的至少一部分。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述微接触凸部包括多个非连续性图案，所述多个非连续性图案围绕所述微发光二极管的所述至少一个电极的至少一部分。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述微接触凸部完全围绕所述微发光二极管的所述至少一个电
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述微发光二极管包括与一对导电部共晶接着的一对电极，
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述微接触凸部还设置在所述一对电极之间的区域的外部。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述微发光二极管包括与一对导电部共晶接着的一对电极，
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述基板包括聚合物、金属、玻璃、蓝宝石、半导体或薄膜晶体管中的至少一个。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述微发光二极管包括组合半导体材料。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述微发光二极管包括水平式电极或覆晶式电极。
16.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述微接触凸部包括硬化材料。
...【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述微接触凸部包括设置在所述基板上的底表面、支撑所述微发光二极管的顶表面、以及连接所述底表面和所述顶表面的侧表面。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述微接触凸部的所述侧表面在截面图中具有直线形状。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述底表面的面积大于所述顶表面的面积。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述底表面的面积小于所述顶表面的面积。
6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述底表面的面积与所述顶表面的面积相同。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述微接触凸部包括连续性图案，所述连续性图案围绕所述微发光二极管的所述至少一个电极的至少一部分。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述微接触凸部包括多个非连续性图案，所述多个非连续性图案围绕所述微发光二极管的所述至少...
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