杂化异质结太阳能电池及电池组件和制备方法技术

本申请提供了一种杂化异质结太阳能电池及电池组件和制备方法，包括半导体衬底，具有相对的衬底正面和衬底背面，其中，衬底正面更靠近电池的向光面，衬底背面更靠近电池的背光面；至少两个复合层，位于衬底正面的一侧，每个复合层包括沿逐渐远离衬底正面的方向依次排布的隧穿层和掺杂多晶硅层的叠层结构。本申请提供的杂化异质结太阳能电池及电池组件和制备方法能够在电池表面获得稳定的钝化效果，并且能够降低电池非金属区域的光吸收，同时实现更好的工艺流程控制。

【技术实现步骤摘要】

本申请主要涉及太阳能电池，尤其涉及一种杂化异质结太阳能电池及电池组件和制备方法。

技术介绍

1、异质结电池(hjt)具有转换效率高、制造工序少、薄硅片应用等一系列优点，被认为是光伏行业的第三次变革方向。随着越来越多的企业布局hjt电池赛道，预计hjt电池技术未来有望在众多电池片技术中脱颖而出，hjt电池将实现规模化量产。虽然hjt 电池理论效率更高，但hjt太阳能电池存在的最大问题之一是紫外辐射诱导衰减。与其他类型的电池相比，hjt 电池片的非晶硅/微晶硅层更易受到紫外线辐射破坏而在表面产生缺陷，相较于其他种类电池衰减更快，从而导致组件效率衰减。

2、一些现有技术采用截止性胶膜过滤紫外线，但是实际紫外线是有用能量，截止型胶膜使得初始功率衰减，或者其他采用uv光转膜方案，但遇到胶膜变黄问题，无法彻底解决uv衰减的问题。另外在一些电池中生长单层掺杂多晶硅层，然后局部刻蚀，形成非金属区薄掺杂多晶硅层结构，减少多晶硅层的光吸收。由于非晶硅存在大量的针孔状孔洞，刻蚀速度难以控制，在量产阶段工艺稳定性较差，增加生产制程难度。因此本领域中对于异质结电池的表面本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种杂化异质结太阳能电池，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的杂化异质结太阳能电池，其特征在于，所述半导体衬底包括单晶硅，所述半导体衬底的掺杂类型包括N型或P型，且所述半导体衬底的厚度为80μm-180μm。

3.如权利要求2所述的杂化异质结太阳能电池，其特征在于，所述衬底正面包括绒面结构、且所述衬底背面包括绒面结构和/或抛光面结构，其中，所述绒面结构包括金字塔绒面和/或腐蚀坑绒面。

4.如权利要求1所述的杂化异质结太阳能电池，其特征在于，还包括本征非晶硅层、背面掺杂层、透明导电层和背金属电极，沿逐渐远离所述衬底背面的方向依次排布在所述衬底背...

【技术特征摘要】

1.一种杂化异质结太阳能电池，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的杂化异质结太阳能电池，其特征在于，所述半导体衬底包括单晶硅，所述半导体衬底的掺杂类型包括n型或p型，且所述半导体衬底的厚度为80μm-180μm。

3.如权利要求2所述的杂化异质结太阳能电池，其特征在于，所述衬底正面包括绒面结构、且所述衬底背面包括绒面结构和/或抛光面结构，其中，所述绒面结构包括金字塔绒面和/或腐蚀坑绒面。

4.如权利要求1所述的杂化异质结太阳能电池，其特征在于，还包括本征非晶硅层、背面掺杂层、透明导电层和背金属电极，沿逐渐远离所述衬底背面的方向依次排布在所述衬底背面的一侧，其中，所述背面掺杂层包括非晶硅、纳米晶硅和/或微晶硅构成的单层或者叠层结构。

5.如权利要求4所述的杂化异质结太阳能电池，其特征在于，所述本征非晶硅层的厚度为5~20nm，所述背面掺杂层的厚度为5~45nm。

6.如权利要求4所述的杂化异质结太阳能电池，其特征在于，所述透明导电层包括掺杂的氧化铟、氧化锌和/或氧化钨构成的透明氧化物导电薄膜，且所述透明导电层的厚度为70~120nm。

7.如权利要求1所述的杂化异质结太阳能电池，其特征在于，所述至少两个复合层包括位于第一复合层中的第一掺杂多晶硅层和位于第二复合层中的第二掺杂多晶硅层，所述第一复合层相较于所述第二复合层更靠近所述衬底正面，其中，所述第二掺杂多晶硅层更靠近所述衬底正面的下表面掺杂浓度大于所述第一掺杂多晶硅层更远离所述衬底正面的上表面掺杂浓度。

8.如权利要求7所述的杂化异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一复合层还包括第一隧穿层，所述第二复合层还包括第二隧穿层，其中，所述第一隧穿层的厚度为0.8~2nm，所述第一掺杂多晶硅层的厚度为20~40nm，所述第二隧穿层的厚度为1~2.5nm，所述第二掺杂多晶硅层的厚度为50~150nm。

9.如权利要求1~8任一项所述的杂化异质结太阳能电池，其特征在于，在所述衬底正面的一侧包括多个间隔且相邻排布的接触区和非接触区，其中，每个所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳伟，胡匀匀，陈达明，吴魁艺，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：