一种偏置量子阱结构高功率半导体激光器制造技术

本发明专利技术公开一种偏置量子阱结构高功率半导体激光器，包括光栅段和非光栅段，其内由下至上依次设置有下电极层、下波导盖层、无源波导层、有源层和有源波导层和上波导盖层。光栅段的一端设置有增透膜，非光栅段的一端设置有高反膜。上波导盖层上形成有脊波导结构，脊波导上由下至上依次设置有欧姆接触层和上电极层；有源层包括由下至上依次设置的下分别限制层、量子阱和上分别限制层，光栅段的有源波导层刻有布拉格光栅。该激光器结构可以有效增加激光器腔长，均匀腔内光子密度的分布，有效避免空间烧孔现象的发生，同时使器件的串联电阻减小、增加散热面积从而提高热饱和输出功率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体激光器，特别涉及一种偏置量子阱结构高功率分布式布拉格反射激光器。

技术介绍

1、大功率半导体激光器广泛应用于自由空间光通信领域和激光雷达领域用于自动驾驶、地理信息测绘等，除此之外半导体激光器是硅基光子学领域中的重要光源，且需要大功率的激光器来补偿其片上损耗。目前，大功率半导体激光器主要有分布反馈(distributed feedback,dfb)(y.mao,y.cheng,b.xu,r.ji and y.li,et al.record-highpower 1.55-μm distributed feedback laser diodes for optical communication[c]//optical fiber communications conference and exhibition-ofc 2021)激光器和分布式布拉格反射(distributed bragg reflector,dbr)激光器两种方案。

2、分布反馈激光器在有源区的上方或下方增加了一个光栅层，光栅的长度与器件腔长一致。光栅通过对激光本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种偏置量子阱结构高功率半导体激光器，其特征在于：包括纵向依次设置的非光栅段(15)、光栅段(16)以及横向由下至上依次设置的下电极层(1)、衬底、下波导盖层(3)、无源波导层(4)和上波导盖层(12)；

2.根据权利要求1所述的一种偏置量子阱结构高功率半导体激光器，其特征在于：所述上波导盖层(12)包括由下至上依次设置的未刻蚀层(10)和脊层(11)；所述衬底、下波导盖层(3)、无源波导层(4)、未刻蚀层(10)、脊层(11)构成脊波导结构。

3.根据权利要求1所述的一种偏置量子阱结构高功率半导体激光器，其特征在于：所述有源层(8)包括由下至上依次设置的下分...

【技术特征摘要】

1.一种偏置量子阱结构高功率半导体激光器，其特征在于：包括纵向依次设置的非光栅段(15)、光栅段(16)以及横向由下至上依次设置的下电极层(1)、衬底、下波导盖层(3)、无源波导层(4)和上波导盖层(12)；

2.根据权利要求1所述的一种偏置量子阱结构高功率半导体激光器，其特征在于：所述上波导盖层(12)包括由下至上依次设置的未刻蚀层(10)和脊层(11)；所述衬底、下波导盖层(3)、无源波导层(4)、未刻蚀层(10)、脊层(11)构成脊波导结构。

3.根据权利要求1所述的一种偏置量子阱结构高功率半导体激光器，其特征在于：所述有源层(8)包括由下至上依次设置的下分别限制层(5)、量子阱(6)和上分别限制层(7)。

4.根据权利要求1所述的一种偏置量子阱结构高功率半导体激光器，其特征在于：所述上波导盖层(12)的上端由下至上依次设置有欧姆接触层(2)和上电极层(18)。

5.根据权利要求1所述的一种偏置量子阱结构高功率半导体激光器，其特征在于：所述有源波导层(9)的光场与所述有源波导层(9)的布拉格光栅耦合系数小于20cm-1。

6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆巧银，卢倩茹，张元昊，国伟华，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：