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本发明公开一种偏置量子阱结构高功率半导体激光器，包括光栅段和非光栅段，其内由下至上依次设置有下电极层、下波导盖层、无源波导层、有源层和有源波导层和上波导盖层。光栅段的一端设置有增透膜，非光栅段的一端设置有高反膜。上波导盖层上形成有脊波导结构...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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