【技术实现步骤摘要】
本揭露涉及一种加速度传感器。
技术介绍
1、加速度传感器作为掌握物体的姿势、移动或振动状态等的机构，使用于以车载机器及产业机器等为代表的各种应用程序中。
2、另外，作为与所述关联的以往技术的一例，可列举专利文献1。
3、[
技术介绍
文献]
4、[专利文献]
5、[专利文献1]日本专利特开2019-049434号公报
技术实现思路
1、[专利技术要解决的问题]
2、然而，以往的加速度传感器中，关于减少组装时的静电破坏风险，同时实现能取得到高温区域为止特性误差较少的线性的特性，尚有讨论的余地。
3、[解决问题的技术手段]
4、例如，本说明书中揭示的加速度传感器是将以产生加速度信号的方式构成的传感器装置、与以处理所述加速度信号的方式构成的信号处理装置密封在单个封装的加速度传感器，所述信号处理装置具备：信号输入端子，以受理所述加速度信号的外部输入的方式构成；第1静电保护元件，以连接在所述信号输入端子与被施加第1电压的第1节点之间的方式构成；及第2静电保护元件，以连接在所述信号输入端子与被施加第2电压的第2节点之间的方式构成；所述第1静电保护元件及所述第2静电保护元件都是同一构造，具有同一漏电流特性。
5、另外，关于其它特征、要件、步骤、优点及特性，通过接下来用来实施专利技术的方式及与它相关的附图而进一步明确。
6、[专利技术的效果]
7、根据本揭露，能提供一种能减少组装时的
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种加速度传感器，是将以产生加速度信号的方式构成的传感器装置、与以处理所述加速度信号的方式构成的信号处理装置密封在单个封装的加速度传感器，所述信号处理装置具备：
2.根据权利要求1所述的加速度传感器，其中所述加速度信号为模拟信号。
3.根据权利要求1所述的加速度传感器，其中所述第1静电保护元件及所述第2静电保护元件都是PN构造的静电保护二极管。
4.根据权利要求3所述的加速度传感器，其中所述第1静电保护元件将第1P型阱设为阳极，将形成在所述第1P型阱的第1N型半导体区域设为阴极，所述第2静电保护元件将第2P型阱设为阳极，将形成在所述第2P型阱的第2N型半导体区域设为阴极。
5.根据权利要求4所述的加速度传感器，其中所述第1P型阱与所述第1N型半导体区域之间的第1接合面积、和所述第2P型阱与所述第2N型半导体区域之间的第2接合面积相等。
6.根据权利要求1所述的加速度传感器，其中所述信号输入端子被偏压成所述第1电压及所述第2电压的中点电压。
7.根据权利要求1所述的加速度传感器，其中
8.根据权
9.根据权利要求7所述的加速度传感器，其中
10.根据权利要求1到9中任一权利要求所述的加速度传感器，其中所述传感器装置包含：固定电极；及可变电极，以根据施加在所述传感器装置的加速度，与所述固定电极的相对位置变化的方式构成；将与所述固定电极与所述可变电极的电极间距离变化对应的电压作为所述加速度信号输出。
...【技术特征摘要】
1.一种加速度传感器，是将以产生加速度信号的方式构成的传感器装置、与以处理所述加速度信号的方式构成的信号处理装置密封在单个封装的加速度传感器，所述信号处理装置具备：
2.根据权利要求1所述的加速度传感器，其中所述加速度信号为模拟信号。
3.根据权利要求1所述的加速度传感器，其中所述第1静电保护元件及所述第2静电保护元件都是pn构造的静电保护二极管。
4.根据权利要求3所述的加速度传感器，其中所述第1静电保护元件将第1p型阱设为阳极，将形成在所述第1p型阱的第1n型半导体区域设为阴极，所述第2静电保护元件将第2p型阱设为阳极，将形成在所述第2p型阱的第2n型半导体区域设为阴极。
5.根据权利要求4所述的加速度传感器，其中所述第...
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