【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构的制作方法。
技术介绍
1、氮化镓(gan)是继si、gaas等第一、第二代半导体材料之后的第三代新型半导体材料，其作为宽禁带半导体材料有许多优点，诸如饱和漂移速度高、击穿电压大、载流子输运性能优异以及能够形成algan、ingan三元合金和alingan四元合金等，容易制作gan基的pn结。鉴于此，近几年来gan基材料和半导体器件得到了广泛和深入的研究，mocvd(metal-organic chemical vapor deposition，金属有机物化学气相沉积)技术生长gan基材料日趋成熟；在半导体器件研究方面，gan基led、lds等光电子器件以及gan基hemt等微电子器件方面的研究都取得了显著的成绩和长足的发展。
2、随着gan基材料在功率器件/显示器件上的应用的逐步深入，终端产品对gan基材料的位错密度的需求进一步提高，而按照传统模式使用主流mocvd外延设备在主流的gan基外延基板三氧化二铝(al2o3)衬底外延生长的gan基材料的位错面密度约为1～3e8/cm^...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，还包括：所述第一结构(1)剥离后，自剥离面抛光所述第二结构(2)上的所述第一外延层(12)。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述待剥离结构上施力步骤前，所述半导体结构的制作方法还包括：湿法去除所述第一结构(1)中的所述第一掩膜层(11)。
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述第二结构(2)或所述第一结构(1)上施力，所述施加的力的方向垂直于所述基底(10)所在的平面。<...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，还包括：所述第一结构(1)剥离后，自剥离面抛光所述第二结构(2)上的所述第一外延层(12)。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述待剥离结构上施力步骤前，所述半导体结构的制作方法还包括：湿法去除所述第一结构(1)中的所述第一掩膜层(11)。
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述第二结构(2)或所述第一结构(1)上施力，所述施加的力的方向垂直于所述基底(10)所在的平面。
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述第二结构(2)上施加力时，对应于所述第二外延层(21)与所述第一外延层(12)连接处的力大于对应于所述第一掩膜层(11)去除后的空隙处的力。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二外延层(21)的热膨胀系数大于所述第一掩膜层(11)的热膨胀系数。
7.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述第二结构(2)或所述第一结构(1)上施力，所述施加的力的方向平行于所述基底(10)所在的平面。
8.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一外延层(12)包括多孔层(121)。
9.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二结构(2)包括转移基板(30)；在所述待剥离结构上施力步骤前，将所述第二外延层(21)的远离所述第一外延层(12)的表面粘附或键合在所述转移基板(30)上；当在所述第二结构(2)上施加力时，所述施加的力施加在所述转移基板(30)上。
10.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一窗口(110)具有多个，各个所述第一窗口(110)对应的所述第二外延层(21)愈合成平面。
11.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一窗口(110)具有多个，各个所述第一窗口(110)对应的所述第二外延层(21)为led结构或垂直导电型半导体结构。
12.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二结构(2)还包括：
13.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。