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本发明提供了一种半导体结构的制作方法，包括：提供待剥离结构，待剥离结构包括：第一结构与第二结构，第一结构至少包括：基底、第一掩膜层与第一外延层，第一掩膜层位于基底上，第一掩膜层具有第一窗口，第一窗口包括开口端，开口端在基底所在平面上的正投影...
该专利属于苏州晶湛半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶湛半导体有限公司授权不得商用。

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