一种LED器件制造技术

技术编号:40040906 阅读:21 留言:0更新日期:2024-01-16 19:42
本技术涉及LED封装领域,提供了一种LED器件,包括器件主体,器件主体包括基板、发光元件、管帽构件和透光元件,基板、管帽构件和透光元件合围连接形成封装腔,基板具有相对的第一端面与第二端面,发光元件朝向透光元件设置于基板的第一端面且位于封装腔内,管帽构件采用金属材料一体成型且具有管帽座和一体连接于管帽座的管帽侧壁,管帽座连接于第一端面,管帽侧壁具有用于反射发光元件发出光的内侧壁,管帽侧壁内侧壁与第一端面之间具有大于零且小于90°的夹角。本技术设置与基板之间具有夹角的管帽构件,其内侧壁能够有效反射发光元件所发出的光线,提升出光率,管帽构件与透光元件和基板焊接能够实现LED器件的全无机封装,可靠性佳。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及led封装领域,尤其涉及一种led器件。


技术介绍

1、目前市面上峰值波长350nm以下的uv-led封装产品对于产品出光存在以下问题:①现有有机封装中,直接在基板上采用molding或点胶的方式形成透镜,虽然可最大化提升芯片的出光效率,但是使用的有机材料在紫外光照射下容易黄变、老化导致光衰过大及失效,可靠性差;②现有半无机封装中,透镜为玻璃材质,透镜与基板采用了有机胶水粘接,因粘接处远离芯片,该种封装形式可靠性好于有机封装,但因为也采用了胶水进行封装,所以uv-led器件依然存在胶水失效的风险,同时,半无机封装的基板通常是围坝及基板为一体式,且围坝为垂直结构,采用具有垂直结构坝体的基板进行封装,由于uv芯片的材质及结构特点,uv芯片横向的光输出较强,垂直方向的光输出较弱,大部分的光都从芯片侧面发出,而垂直结构的坝体会导致芯片侧面发出光在垂直坝体上来回反射,无法有效反射到正面,出光效率低下,光损失大;而带斜度的围坝结构,虽然其光反射率会好于垂直结构围坝,但是在一体式的围坝及基板中斜面围坝的加工难度较大,加工成本高。因此,在uv-led封装行业中,本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种LED器件,其特征在于,包括器件主体,所述器件主体包括基板、发光元件、管帽构件和透光元件,所述管帽构件为金属件且连接于所述基板和所述透光元件,所述基板、所述管帽构件和所述透光元件合围形成封装腔,所述基板具有相对的第一端面与第二端面,所述发光元件设置于所述基板的第一端面且位于所述封装腔内,所述发光元件朝向于所述透光元件,所述管帽构件采用金属材料一体成型且具有管帽座和一体连接于所述管帽座的管帽侧壁,所述管帽座连接于所述第一端面,所述管帽侧壁具有用于反射所述发光元件发出光的内侧壁,所述管帽侧壁的内侧壁由所述第一端面向远离所述发光元件的方向倾斜,并与所述第一端面形成大于零且小于90°的夹...

【技术特征摘要】

1.一种led器件,其特征在于,包括器件主体,所述器件主体包括基板、发光元件、管帽构件和透光元件,所述管帽构件为金属件且连接于所述基板和所述透光元件,所述基板、所述管帽构件和所述透光元件合围形成封装腔,所述基板具有相对的第一端面与第二端面,所述发光元件设置于所述基板的第一端面且位于所述封装腔内,所述发光元件朝向于所述透光元件,所述管帽构件采用金属材料一体成型且具有管帽座和一体连接于所述管帽座的管帽侧壁,所述管帽座连接于所述第一端面,所述管帽侧壁具有用于反射所述发光元件发出光的内侧壁,所述管帽侧壁的内侧壁由所述第一端面向远离所述发光元件的方向倾斜,并与所述第一端面形成大于零且小于90°的夹角。

2.如权利要求1所述的一种led器件,其特征在于,所述管帽侧壁具有相对的上端与下端,所述管帽侧壁的上端具有用于供所述透光元件焊接的焊接点,所述管帽侧壁的下端外形尺寸小于所述管帽侧壁的上端外形尺寸。

3.如权利要求1所述的一种led器件,其特征在于,所述管帽侧壁的外形呈圆台形;或者,所述管帽侧壁的外形呈棱台形。

4.如权利要求1所述的一种led器件,其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员:成鹏李华华邢美正
申请(专利权)人:深圳市聚飞光电股份有限公司
类型:新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1