System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind()
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及通信设备测试,具体而言,本专利技术涉及一种全频段多探头近场测试系统。
技术介绍
1、随着通信技术的发展,通信设备的复杂程度越来越高,相应的,通信设备的测试要求就越来越高,因此诞生了紧缩场、多探头球面近场等测试系统来对复杂的通信设备进行测试,其中多探头球面近场测试系统以其测试精度高、测试范围广等优秀特点成为行业内的标杆,其一般由采样系统、分析系统和待测物运动系统构成,通过待测物运动系统来安装待测天线并驱动待测天线空间活动,由采样系统对待测天线辐射的电磁波进行采样,最后由分析系统计算获得待测天线各项电参数。
2、然而,市场上用于测试5g/6g通信设备的多探头球面近场测试系统多用于低频(0.35~6ghz)、高频(6~40ghz)和毫米波频段(40~110ghz)中单一频段的测试,不能满足5g/6g全频段(0.35ghz~110ghz)测试的需要。
技术实现思路
1、本专利技术的目的旨在提供一种可满足5g/6g全频段测试需要的全频段多探头近场测试系统。
2、为实现以上目的,本专利技术提供以下技术方案:
3、本专利技术提供了一种全频段多探头近场测试系统,包括测试暗室及均设于测试暗室内的低频采样系统、高频采样系统、毫米波采样系统和待测物运动系统;所述低频采样系统和高频采样系统均呈半环形,低频采样系统和高频采样系统以同心、内径相等且正交的方式竖立设置;所述待测物运动系统用于安装待测天线并可驱动待测天线在半环的圆心处进行空间移动;所述低频采样系统
4、在其中一种实施方式中,所述低频采样系统和高频采样系统均设有多个双极化采样天线,各自的双极化采样天线沿圆周方向均匀分布且朝向所述圆心。
5、在其中一种实施方式中,所述低频采样系统和高频采样系统均设有射频开关,所述射频开关设有多个输出端口,并且所述多个输出端口与各双极化采样天线一一对应设置。
6、在其中一种实施方式中,所述低频采样系统和高频采样系统的顶端相接。
7、在其中一种实施方式中,两采样系统的顶端相互嵌套设置。
8、在其中一种实施方式中,所述测试系统还设有两个支撑结构,所述支撑结构从各采样系统背对采样天线的一侧支撑低频采样系统和高频采样系统。
9、在其中一种实施方式中,所述支撑结构采用非金属材料制成并镂空设置。
10、在其中一种实施方式中,所述毫米波采样系统包括底座、被支撑于底座上方的多轴机械臂及设置在多轴机械臂末端的安装法兰,所述安装法兰用于安装毫米波探头。
11、在其中一种实施方式中,所述毫米波采样系统位于待测物运动系统远离高频采样系统的一侧,并且毫米波采样系统与待测物运动系统的连线垂直于低频采样系统与待测物运动系统的连线。
12、在其中一种实施方式中,所述近场测试系统还包括温控子系统,所述温控子系统设有罩设于待测天线外周的温度夹具。
13、本专利技术提供的技术方案带来的有益效果是:本专利技术的近场测试系统,将低频采样系统、高频采样系统和毫米波采样系统集成于一个测试暗室,低频采样系统和高频采样系统同心设置、待测物运动系统控制待测天线在圆心处空间活动,共用同一套待测物运动系统,满足5g/6g全频段的测试,并减少成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种全频段多探头近场测试系统,其特征在于,包括测试暗室及均设于测试暗室内的低频采样系统、高频采样系统、毫米波采样系统和待测物运动系统;
2.根据权利要求1所述的全频段多探头近场测试系统,其特征在于,所述低频采样系统和高频采样系统均设有多个双极化采样天线,各自的双极化采样天线沿圆周方向均匀分布且朝向所述圆心。
3.根据权利要求2所述的全频段多探头近场测试系统,其特征在于,所述低频采样系统和高频采样系统均设有射频开关,所述射频开关设有多个输出端口,并且所述多个输出端口与各双极化采样天线一一对应设置。
4.根据权利要求1所述的全频段多探头近场测试系统,其特征在于,所述低频采样系统和高频采样系统的顶端相接。
5.根据权利要求1所述的全频段多探头近场测试系统,其特征在于,两采样系统的顶端相互嵌套设置。
6.根据权利要求2所述的全频段多探头近场测试系统,其特征在于,所述测试系统还设有两个支撑结构,所述支撑结构从各采样系统背对采样天线的一侧支撑低频采样系统和高频采样系统。
7.根据权利要求6所述的全频段多探头近场测试系
8.根据权利要求1所述的全频段多探头近场测试系统,其特征在于,所述毫米波采样系统包括底座、被支撑于底座上方的多轴机械臂及设置在多轴机械臂末端的安装法兰,所述安装法兰用于安装毫米波探头。
9.根据权利要求8所述的全频段多探头近场测试系统,其特征在于,所述毫米波采样系统位于待测物运动系统远离高频采样系统的一侧,并且毫米波采样系统与待测物运动系统的连线垂直于低频采样系统与待测物运动系统的连线。
10.根据权利要求1所述的全频段多探头近场测试系统,其特征在于,所述近场测试系统还包括温控子系统,所述温控子系统包括罩设于待测天线外周的温度夹具。
...【技术特征摘要】
1.一种全频段多探头近场测试系统,其特征在于,包括测试暗室及均设于测试暗室内的低频采样系统、高频采样系统、毫米波采样系统和待测物运动系统;
2.根据权利要求1所述的全频段多探头近场测试系统,其特征在于,所述低频采样系统和高频采样系统均设有多个双极化采样天线,各自的双极化采样天线沿圆周方向均匀分布且朝向所述圆心。
3.根据权利要求2所述的全频段多探头近场测试系统,其特征在于,所述低频采样系统和高频采样系统均设有射频开关,所述射频开关设有多个输出端口,并且所述多个输出端口与各双极化采样天线一一对应设置。
4.根据权利要求1所述的全频段多探头近场测试系统,其特征在于,所述低频采样系统和高频采样系统的顶端相接。
5.根据权利要求1所述的全频段多探头近场测试系统,其特征在于,两采样系统的顶端相互嵌套设置。
6.根据权利要求2所述的全频段多探头近场测试系统...
【专利技术属性】
技术研发人员:东君伟,
申请(专利权)人:中山香山微波科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。