一种半导体单晶材料加热炉制造技术

技术编号:40036634 阅读:9 留言:0更新日期:2024-01-16 19:04
本技术涉及半导体加工技术领域,公开了一种半导体单晶材料加热炉,包括箱体,所述箱体后部设有进风口,所述进风口内侧设有安装架,所述安装架固定连接风扇,所述风扇设于风道的外部一端,所述风道的内部设有加热丝,所述加热丝使加热的空气进入散热铜管,所述散热铜管的上部设有托盘,所述托盘的内部设有导热孔。本技术中,通过控制器使加热丝通电,进而风扇使空气进入散热铜管的内部,而散热铜管的上部设有托盘,托盘的内部设有导热孔,进而实现对转运盘上部的半导体单晶材料加热,热空气通过出风口流出,箱体两侧风道内部采用铝制材料,可将加热丝的热量传导至箱体的内腔,从而实现对半导体单晶材料的加热功能。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体加工,尤其涉及一种半导体单晶材料加热炉


技术介绍

1、半导体加热在由于其在加热过程中能够不产生电感,有用功率高,波长对比电阻丝加热的波长要长,发热面积大,电阻随温度升高而减少,可以抑制电路中过大的电流,从而保护其电源电路及负载,可以给企业降低耗电量,从而降低生产加工成本,因此半导体加热炉的使用范围越来越广泛。

2、然而现有的半导体加热炉内部的半导体加热管一般直接设置在炉体内腔侧壁之间,这就导致了在物件放置过程中,物件容易与半导体加热管发生碰撞而造成半导体加热管的损坏,基于此,本技术设计了一种半导体单晶材料加热炉,以解决上述问题。


技术实现思路

1、本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种半导体单晶材料加热炉。

2、为了实现上述目的,本技术采用了如下技术方案:一种半导体单晶材料加热炉,包括箱体,所述箱体后部设有进风口,所述进风口内侧设有安装架,所述安装架固定连接风扇,所述风扇设于风道的外部一端,所述风道的内部设有加热丝,所述加热丝使加热的空气进入散热铜管,所述散热铜管的上部设有托盘,所述托盘的内部设有导热孔,所述导热孔的上部设有转运盘,所述转运盘的上部设有半导体单晶。

3、作为上述技术方案的进一步描述:

4、所述箱体的两侧壁设有滑轨,所述滑轨内部固定连接滑轮,所述滑轮滑动连接滑柱,所述滑柱设于托盘的两侧。

5、作为上述技术方案的进一步描述:

6、所述箱体的右前端设有铰链,所述铰链铰接保温门,所述保温门外部固定连接把手。

7、作为上述技术方案的进一步描述:

8、所述箱体的上部设有控制器,所述控制器控制风扇的旋转与加热丝的通断电。

9、作为上述技术方案的进一步描述:

10、所述进风口的右侧设有出风口,所述出风口贯穿于风道。

11、作为上述技术方案的进一步描述:

12、所述散热铜管固定连接箱体的内侧,所述散热铜管与风道相通,所述散热铜管采用高纯度铜材质,热传导效率更高,所述箱体的下部设有滚轮,所述滚轮共有四组。

13、作为上述技术方案的进一步描述:

14、所述加热丝共设有六组,左右对称,所述加热丝由控制器控制通断电。

15、本技术具有如下有益效果:

16、1、本技术中,箱体的后部设有进风口,进风口的内部设有安装架,安装架固定连接风扇,空气通过风道流经加热丝的外围,通过控制器对加热丝通电,进而使空气进入散热铜管的内部,而散热铜管的上部设有托盘,托盘的内部设有导热孔,进而实现对转运盘上部的半导体单晶加热,热空气通过出风口流出,箱体两侧风道内部采用铝制材料,可将加热丝的热量传导至箱体的内腔,从而实现对半导体单晶材料的加热功能。

17、2、本技术中,箱体的内侧设有滑轨,滑轨内部固定连接滑轮,滑轮滑动连接滑柱,滑柱固定连接托盘的两侧,当需要对半导体材料进行加热时,拉动托盘,使滑柱沿滑轮边缘滑动,从而有效减轻推拉托盘时的阻力,从而大大降低工作人员的工作强度。

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【技术保护点】

1.一种半导体单晶材料加热炉,包括箱体(1),其特征在于:所述箱体(1)后部设有进风口(2),所述进风口(2)内侧设有安装架(3),所述安装架(3)固定连接风扇(4),所述风扇(4)设于风道(5)的外部一端,所述风道(5)的内部设有加热丝(6),所述加热丝(6)使加热的空气进入散热铜管(7),所述散热铜管(7)的上部设有托盘(8),所述托盘(8)的内部设有导热孔(9),所述导热孔(9)的上部设有转运盘(10),所述转运盘(10)的上部设有半导体单晶(11)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体单晶材料加热炉,其特征在于:所述箱体(1)的两侧壁设有滑轨(12),所述滑轨(12)内部固定连接滑轮(13),所述滑轮(13)滑动连接滑柱(15),所述滑柱(15)设于托盘(8)的两侧。

3.根据权利要求1所述的一种半导体单晶材料加热炉,其特征在于:所述箱体(1)的右前端设有铰链(16),所述铰链(16)铰接保温门(18),所述保温门(18)外部固定连接把手(17)。

4.根据权利要求1所述的一种半导体单晶材料加热炉,其特征在于:所述箱体(1)的上部设有控制器(19),所述控制器(19)控制风扇(4)的旋转。

5.根据权利要求1所述的一种半导体单晶材料加热炉,其特征在于:所述进风口(2)的右侧设有出风口(14),所述出风口(14)贯穿于风道(5)。

6.根据权利要求1所述的一种半导体单晶材料加热炉,其特征在于:所述散热铜管(7)固定连接箱体(1)的内侧,所述散热铜管(7)与风道(5)相通,所述散热铜管(7)采用高纯度铜材质,所述箱体(1)的下部设有滚轮(20),所述滚轮(20)共有四组。

7.根据权利要求1所述的一种半导体单晶材料加热炉,其特征在于:所述加热丝(6)共设有六组,左右对称。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体单晶材料加热炉,包括箱体(1),其特征在于:所述箱体(1)后部设有进风口(2),所述进风口(2)内侧设有安装架(3),所述安装架(3)固定连接风扇(4),所述风扇(4)设于风道(5)的外部一端,所述风道(5)的内部设有加热丝(6),所述加热丝(6)使加热的空气进入散热铜管(7),所述散热铜管(7)的上部设有托盘(8),所述托盘(8)的内部设有导热孔(9),所述导热孔(9)的上部设有转运盘(10),所述转运盘(10)的上部设有半导体单晶(11)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体单晶材料加热炉,其特征在于:所述箱体(1)的两侧壁设有滑轨(12),所述滑轨(12)内部固定连接滑轮(13),所述滑轮(13)滑动连接滑柱(15),所述滑柱(15)设于托盘(8)的两侧。

3.根据权利要求1所述的一种半导体单晶材料加热炉,其特征在于:所述箱体(1)...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈建维
申请(专利权)人:苏州亚仕迪科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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