石英晶体谐振器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种石英晶体谐振器，包括石英晶片、谐振器基座、谐振器外壳，所述谐振器外壳为四方形，所述谐振器外壳边缘设有第一可焊层，所述谐振器基座上对应设有第二可焊层。制作所述石英晶体谐振器的方法，包括以下步骤：晶片的洗净、晶片被银、点胶、烘胶、预老化、封焊，所述封焊步骤中谐振器基座、谐振器外壳的焊接采用金属电阻焊。本发明专利技术由于采用了上述技术方案，本发明专利技术石英晶体谐振器构造简单，产品性能稳定可靠，频段宽，达到了使用范围广的目的。制作所述石英晶体谐振器的方法，制作简捷、制造成本低。采用金属电阻焊的产品来替代玻璃封装的产品，达到产品在保障质量的前提下，使产品小型化的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
目前国内外生产表面贴石英晶体谐振器均采用玻璃封装的形式制作，该方法存在 生产效率低、原材料采购困难、生产设备价格昂贵及制造出来的产品价格高等缺点。世界 上只有日本的三家企业(京瓷、东京电波、柱友)能够生产该产品的玻璃基座，因此而受到 国外企业的垄断控制。而现在我们国内石英晶体谐振器金属基座的生产工艺已经成熟，通 过对石英晶体谐振器材料及加工方法的专利技术，能够制造出可替代玻璃封表面贴石英晶体谐 振器，而且在产品性能上较玻璃封装的产品更可靠，制造成本更低，加工效率更高等明显优 点，还能做到制造设备及使用材料的国产化
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种石英晶体谐振器，产品构造简单，性能稳 定可靠，其制作方法制作简捷、制造成本低。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案石英晶体谐振器，包括石英晶 片、谐振器基座、谐振器外壳，所述谐振器外壳为四方形，所述谐振器外壳边缘设有第一可 焊层，所述谐振器基座上对应设有第二可焊层。所述谐振器外壳高度c为0. 8mm。所述谐振器外壳边缘设有0.25mm厚度的第一可焊层，使产品可以采用国内制造 的电阻焊封焊机来代替日本进口的昂贵封装炉，从而达到量产化。所述石英晶片长度b为6. 0士0. Olmm,宽度a为2. 1 2. 3_。制作所述石英晶体谐振器的方法，包括以下步骤晶片的洗净、晶片被银、点胶、烘 胶、预老化、封焊，所述封焊步骤中谐振器基座、谐振器外壳的焊接采用金属电阻焊。所述点胶步骤中，先在谐振器基座的背面纵向点底胶，然后在谐振器基座上放上 石英晶片，再然后在谐振器基座的正面纵向点面胶。所述晶片被银步骤中，在溅镀机内先镀上小于50uM的铬层，再镀上小于1500uM的 银，确保银能够附着于铬层上。本专利技术由于采用了上述技术方案，本专利技术石英晶体谐振器构造简单，产品性能稳 定可靠，频段宽，达到了使用范围广的目的。制作所述石英晶体谐振器的方法，制作简捷、制 造成本低。采用金属电阻焊的产品来替代玻璃封装的产品，达到产品在保障质量的前提下， 使产品小型化的目的。附图说明图1为谐振器基座的结构示意图。图2为石英晶片的结构示意图。图3为谐振器外壳的结构示意图。图4为谐振器外壳的俯视图。具体实施方式 下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步描述。本专利技术石英晶体谐振器，包括石英晶片1、谐振器基座2、谐振器外壳3，如图3和4 所示，所述谐振器外壳3为四方形，高度c为0. 8mm，所述谐振器外壳3边缘设有第一可焊 层4，如图1所示，所述谐振器基座2上对应设有第二可焊层5。所述谐振器外壳边缘设有 0. 25mm厚度的第一可焊层4。如图2所示，所述石英晶片长度b为6. 0士0. Olmm,宽度a为2. 1 2. 3mm,使石英 晶片本身在性能上及振动的波幅上更加集中，虽然晶片的尺寸变小，反而能够使石英晶体 谐振器的性能(Q值)提高。谐振器外壳由原先的高度2. 8mm降低至0. 8mm，且由原先的椭圆形状改成四方形， 达到降低产品的高度目的，而又不影响产品的质量。整个谐振器基座的高度降到0. 8mm，而 石英晶片能够完整的放入。制作石英晶体谐振器的方法，包括以下步骤晶片的洗净、晶片被银、点胶、烘胶、 预老化、封焊，所述封焊步骤中谐振器基座、谐振器外壳的焊接采用金属电阻焊。所述晶片 被银步骤中，由原先的镀银改为镀铬和镀银的双重电极方式，确保产品的银层附着力。先在 溅镀机内设置好铬的溅镀量，按照设置好的程序先镀上小于50uM的铬层，镀完之后再开启 另一个程序镀上小于1500uM的银，确保银能够附着于铬层上，从而达到银层的附着效果最 佳的状态。所述谐振器基座、谐振器外壳的焊接采用金属电阻焊。所述点胶步骤中，先在谐振器基座的背面纵向点底胶，然后在谐振器基座上放上 石英晶片，再然后在谐振器基座的正面纵向点面胶。通过采用在谐振器基座和石英晶片电 极的接触点采用拖着点四点的方法，即由横向的四点点胶变更为纵向的四点点胶的作业方 法，确保了产品的可靠度。权利要求石英晶体谐振器，包括石英晶片(1)、谐振器基座(2)、谐振器外壳(3)，其特征在于所述谐振器外壳(3)为四方形，所述谐振器外壳(3)边缘设有第一可焊层(4)，所述谐振器基座(2)上对应设有第二可焊层(5)。2.根据权利要求1所述石英晶体谐振器，其特征在于所述谐振器外壳(3)高度c为 0. 8mmo3.根据权利要求1所述石英晶体谐振器，其特征在于所述谐振器外壳边缘设有 0. 25mm厚度的第一可焊层(4)。4.根据权利要求1所述石英晶体谐振器，其特征在于所述石英晶片长度b为 6. 0 士 0. 01mm,宽度 a 为 2. 1 2. 3mm。5.制作如权利要求1所述石英晶体谐振器的方法，其特征在于包括以下步骤晶片 的洗净、晶片被银、点胶、烘胶、预老化、封焊，所述封焊步骤中谐振器基座(2)、谐振器外壳 (3)的焊接采用金属电阻焊。6.根据权利要求5所述制作石英晶体谐振器的方法，其特征在于所述晶片被银步骤 中，在溅镀机内先镀上小于50uM的铬层，再镀上小于1500uM的银，确保银能够附着于铬层 上。7.根据权利要求5所述制作石英晶体谐振器的方法，其特征在于所述点胶步骤中，先 在谐振器基座的背面纵向点底胶，然后在谐振器基座上放上石英晶片，再然后在谐振器基 座的正面纵向点面胶。全文摘要本专利技术公开了一种石英晶体谐振器，包括石英晶片、谐振器基座、谐振器外壳，所述谐振器外壳为四方形，所述谐振器外壳边缘设有第一可焊层，所述谐振器基座上对应设有第二可焊层。制作所述石英晶体谐振器的方法，包括以下步骤晶片的洗净、晶片被银、点胶、烘胶、预老化、封焊，所述封焊步骤中谐振器基座、谐振器外壳的焊接采用金属电阻焊。本专利技术由于采用了上述技术方案，本专利技术石英晶体谐振器构造简单，产品性能稳定可靠，频段宽，达到了使用范围广的目的。制作所述石英晶体谐振器的方法，制作简捷、制造成本低。采用金属电阻焊的产品来替代玻璃封装的产品，达到产品在保障质量的前提下，使产品小型化的目的。文档编号H03H9/05GK101841314SQ20101018181公开日2010年9月22日 申请日期2010年5月21日 优先权日2010年5月21日专利技术者吴群先, 徐兴华 申请人:金华市创捷电子有限公司 本文档来自技高网...

【技术保护点】
石英晶体谐振器，包括石英晶片（１）、谐振器基座（２）、谐振器外壳（３），其特征在于：所述谐振器外壳（３）为四方形，所述谐振器外壳（３）边缘设有第一可焊层（４），所述谐振器基座（２）上对应设有第二可焊层（５）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐兴华，吴群先，
申请(专利权)人：金华市创捷电子有限公司，
类型：发明
国别省市：33[中国|浙江]