【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种半导体装置及其制造方法，特别是有关于具有电容接触件的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、动态随机存取存储器广泛地应用于消费性电子产品中。为了增加动态随机存取存储器内的组件集成度以及改善其整体表现，目前其制造技术朝向组件尺寸的微缩化而努力。然而，当组件尺寸缩小，许多挑战随之而生。例如，传统半导体装置会覆盖金属层在阵列区中的存储单元板件上，以降低后续形成于金属层上的接触件的阻值，但是此金属层也阻碍了存储单元板件在后段连线工艺中需要通入适当气体以修补工艺缺陷的路径。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种半导体装置，包括第一绝缘层，位于一衬底上；一接触插塞，位于第一绝缘层中且与衬底的表面接触；一电容结构，位于接触插塞的上方且具有一导电层位于前述第一绝缘层的上方；第二绝缘层，位于第一绝缘层的上方并覆盖电容结构；以及一电容接触件，位于电容结构上。电容接触件包括第一接触部，穿过第二绝缘层且与电容结构的导电层接触；以及第二接触部，连接第一接触部的外表面且围绕第一接触部的下部。
2、本专利技术实施例提供一种半导体装置的制造方法，包括提供一衬底，并在衬底上形成一存储单元板件。存储单元板件包括第一绝缘层位于衬底上；一接触插塞，位于第一绝缘层中且与衬底的表面接触；以及一电容结构位于接触插塞的上方，且此电容结构具有一导电层位于第一绝缘层的上方。制造方法还包括形成第二绝缘层于第一绝缘层的上方，且第二绝缘层覆盖存储单元板件；以及形成一电容接触件于电容结构上，此电容接触件
3、根据本专利技术实施例的半导体装置及其制造方法，可以增加电容接触件与电容结构的导电层之间的接触面积，以降低电容结构因导电层的材料(例如仅有硅锗材料)而导致的电容接触件高阻值。再者，进行氢气烧结时，氢气可以顺利修补实施例的电容结构的导电层的含硅表面的悬浮键，进而降低半导体装置的临界电压，以利于半导体装置的高频操作与运用。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，自该衬底的上方俯视，该第二接触部的侧壁所围绕的面积大于该第一接触部的侧壁所围绕的面积。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二接触部位于该导电层上。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该第二绝缘层包括：
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，该第二接触部的顶面与该第一氧化层的顶面共平面。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二接触部位于该导电层中。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二接触部的顶面与该导电层的顶面共平面。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，包括多个该电容接触件，其中相邻的该多个该电容接触件的多个该第二接触部彼此相隔一距离。
9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，包括多个该电容接触件，其中两个相邻的该多个该电容接触件的多个该第二接触部彼此相连接。
10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包
11.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，形成该第二绝缘层包括：
12.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括对一第一氧化物材料与一导电材料同时进行图案化，以形成该第一氧化层与该电容结构的该导电层。
13.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，形成该电容接触件包括：
14.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该第二绝缘层接触该电容结构的该导电层。
15.如权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，形成该电容接触件包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，自该衬底的上方俯视，该第二接触部的侧壁所围绕的面积大于该第一接触部的侧壁所围绕的面积。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二接触部位于该导电层上。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该第二绝缘层包括：
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，该第二接触部的顶面与该第一氧化层的顶面共平面。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二接触部位于该导电层中。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二接触部的顶面与该导电层的顶面共平面。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，包括多个该电容接触件，其中相邻的该多个该电容接触件的多个该第二接触部彼此相隔一...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨峻昇，陈怡今，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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