【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种存储器组件及其形成方法。
技术介绍
1、随着科技的进步，各类电子产品皆朝向轻薄短小的趋势发展。然而，在这趋势之下，动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)的临界尺寸亦逐渐缩小，其导致dram的工艺将面临许多挑战。举例来说，电容器接触窗与有源区之间的接触电阻会随着临界尺寸缩小而增加，进而降低存储器组件的可靠度(reliability)。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种存储器组件及其形成方法，其可降低电容器接触窗与有源区之间的接触电阻，进而提升存储器组件的可靠度与效能。
2、本专利技术提供一种存储器组件的形成方法，包括：在衬底上形成多个位线结构，其中多个位线结构沿着第一方向延伸；在多个位线结构之间分别形成多条导体线以接触衬底中的多个有源区；在多条导体在线形成牺牲层；图案化多个位线结构、牺牲层以及多条导体线以形成沿着第二方向延伸的多个开口，其中多个开口至少切断多条导体线，以形成多个导体垫；在多个开口中形成介电层；...
【技术保护点】
1.一种存储器组件的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器组件的形成方法，其特征在于，所述第一方向实质上垂直于所述第二方向。
3.根据权利要求1所述的存储器组件的形成方法，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的存储器组件的形成方法，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求1所述的存储器组件的形成方法，其特征在于，所述多个导体垫分别配置在所述多个位线结构旁，以形成导体数组。
6.根据权利要求1所述的存储器组件的形成方法，其特征在于，每一个导体垫中的顶部面积大于相应的导体插塞的底部面积
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【技术特征摘要】
1.一种存储器组件的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器组件的形成方法，其特征在于，所述第一方向实质上垂直于所述第二方向。
3.根据权利要求1所述的存储器组件的形成方法，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的存储器组件的形成方法，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求1所述的存储器组件的形成方法，其特征在于，所述多个导体垫分别配置在所述多个位线结构旁，以形成导体数组。
6.根据权利要求1所述的存储器组件的形成方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢建鸣，欧阳自明，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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