闪存的参考阵列电压控制电路制造技术

本发明专利技术公开了一种闪存的参考阵列电压控制电路，存储单元和参考单元的结构相同且都采用分离栅浮栅器件。读取时，电荷泵提供控制栅线读取电压到选定存储单元的非选定存储位对应的控制栅所连接的控制栅线上。参考阵列电压控制电路包括电压转换电路，电压转换电路包括第一二极管和第一电流源。第一二极管的阳极连接控制栅线读取电压，第一二极管的阴极连接第一电流源的第一端并输出第二控制栅线读取电压，第一电流源的第二端接地。第二控制栅线读取电压连接到参考单元的编程位对应的控制栅所连接的参考控制栅线上。本发明专利技术能使第二控制栅线读取电压和控制栅线读取电压的波动相同，同时减少参考电流的温度系数和减少串扰，还能增加读写窗口。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路，特别是涉及一种闪存的参考阵列电压控制电路。

技术介绍

1、如图1所示，是现有闪存的存储单元101的电路结构示意图；如图2所示，是现有闪存的存储单元101的剖面结构示意图；现有闪存如闪存包括多个存储单元101，由多个所述存储单元101排列形成闪存的阵列结构。

2、各所述存储单元101都采用分离栅浮栅器件。

3、如图2所示，所述分离栅浮栅器件包括：对称的第一源漏区205a和第二源漏区206，位于所述第一源漏区205a和所述第二源漏区205b之间的多个分离的具有浮栅104的第一栅极结构，位于所述第一栅极结构之间的第二栅极结构103；所述第一栅极结构中具有位于所述浮栅104顶部的控制栅105。

4、所述分离栅浮栅器件为双分离栅浮栅器件，所述第一栅极结构的数量为两个，分别用标记102a和102b表示。

5、所述分离栅浮栅器件为n型器件，所述第一源漏区205a和所述第二源漏区205b都由n+区组成。

6、p型掺杂的沟道区位于所述第一源漏区205a和所述第二源漏区205b之间且本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种闪存的参考阵列电压控制电路，其特征在于，闪存的阵列结构包括主阵列和参考阵列；

2.如权利要求1所述的闪存的参考阵列电压控制电路，其特征在于：读取时，所述电荷泵还提供字线读取电压；

3.如权利要求1所述的闪存的参考阵列电压控制电路，其特征在于：所述第一二极管采用二极管连接的NMOS管或者采用二极管连接的PMOS管。

4.如权利要求2所述的闪存的参考阵列电压控制电路，其特征在于：所述第二二极管采用二极管连接的NMOS管或者采用二极管连接的PMOS管。

5.如权利要求1所述的闪存的参考阵列电压控制电路，其特征在于：所述分离栅浮栅器件为双分...

【技术特征摘要】

1.一种闪存的参考阵列电压控制电路，其特征在于，闪存的阵列结构包括主阵列和参考阵列；

2.如权利要求1所述的闪存的参考阵列电压控制电路，其特征在于：读取时，所述电荷泵还提供字线读取电压；

3.如权利要求1所述的闪存的参考阵列电压控制电路，其特征在于：所述第一二极管采用二极管连接的nmos管或者采用二极管连接的pmos管。

4.如权利要求2所述的闪存的参考阵列电压控制电路，其特征在于：所述第二二极管采用二极管连接的nmos管或者采用二极管连接的pmos管。

5.如权利要求1所述的闪存的参考阵列电压控制电路，其特征在于：所述分离栅浮栅器件为双分离栅浮栅器件，所述第一栅极结构的数量为两个。

6.如权利要求5所述的闪存的参考阵列电压控制电路，其特征在于：所述分离栅浮栅器件为n型器件，所述第一源漏区和所述第二源漏区都由n+区组成；

7.如权利要求5所述的闪存的参考阵列电压控制电路，其特征在于：在所述主阵列中，同一行上的各所述存储单元的位于相同行的所述第二栅极结构都连接到同一行的字线，同一行上的各所述存储单元的位...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨光军，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：