【技术实现步骤摘要】
本申请涉及芯片验证，特别是涉及一种ecc功能测试方法、装置、电子设备及存储介质。
技术介绍
1、静态随机存取存储器(static random access memory，sram)作为一种ram，可以用于存储数据，而sram中的数据一旦出错，会对芯片造成不可挽回的损失。因此在对sram进行读写操作时，可以通过纠错码(error correcting code，ecc)算法对sram中的数据进行校验，判断sram中的数据是否发生错误。对于sram中的数据的单比特错误，采用ecc算法可以自动对错误进行纠正；对于双比特错误，采用ecc算法可以对错误进行上报，以便于验证工程师及时发现sram中的错误数据，避免对芯片造成损失。由于sram对数据可靠性要求严格，ecc算法已经成为对sram进行数据校验的标准校验算法，且已被广泛使用。在此基础上，为了保证sram中的ecc功能正常，对ecc功能测试显得愈发重要。
2、而现有技术中，验证工程师需要在sram验证周期中额外针对每种ecc功能开发测试用例，进而对ecc功能进行逐项验证，人力成本较高，验证效率比较低。
技术实现思路
1、本申请实施例的目的在于提供一种ecc功能测试方法、装置、电子设备及存储介质，以提高验证效率。具体技术方案如下：
2、第一方面，本申请实施例提供一种ecc功能测试方法，应用于ecc序列组件，所述方法包括：
3、在监测到场景类序列组件对待测sram的写操作时，判断是否需要对所述写操作对应的
4、若需要对所述写操作对应的写数据进行注错，则记录所述写操作的写地址以及正确的写数据；
5、在监测到所述场景类序列组件对所述写地址的读操作时，记录ecc纠错结果；
6、基于记录的各写地址对应的ecc纠错结果和正确的写数据验证ecc功能是否正常。
7、在一种可能的实现方式中，在所述判断是否需要对所述写操作对应的写数据进行注错之后，所述方法还包括：
8、若需要对所述写操作对应的写数据进行注错，则按照预先配置的一组注错配置信息对所述写数据进行注错，将错误的写数据写入所述待测sram；
9、所述判断是否需要对所述写操作对应的写数据进行注错，包括：
10、随机选择是否需要对所述写操作对应的写数据进行注错。
11、在一种可能的实现方式中，在所述判断是否需要对所述写操作对应的写数据进行注错之前，所述方法还包括：
12、为ecc注错寄存器配置注错配置信息，以使得所述待测sram在监测到场景类序列组件对所述待测sram的写操作时，按照所述注错配置信息对所述写操作对应的写数据进行注错，并将错误的写数据写入所述待测sram；
13、所述判断是否需要对所述写操作对应的写数据进行注错，包括：
14、确定需要对所述写操作对应的写数据进行注错。
15、在一种可能的实现方式中，所述基于记录的各写地址对应的ecc纠错结果和正确的写数据验证ecc功能是否正常，包括：
16、针对记录的每个写地址对应的ecc纠错结果和正确的写数据进行以下验证：
17、获取对所述写地址对应的写数据注错时使用的目标注错配置信息，所述目标注错配置信息至少包括注错类型、纠错方式以及响应方式；
18、基于所述注错类型和所述响应方式验证所述待测sram中针对该写地址的中断信号是否符合所述响应方式；
19、基于所述注错类型和所述纠错方式验证ecc状态寄存器存储的数据是否符合预期数据；
20、基于所述注错类型和所述纠错方式验证从该写地址读取出的数据与正确的写数据之间的关系是否正确；
21、若任一判断结果为否，则确定针对该写地址的ecc功能异常；
22、若判断结果均为是，则确定针对该写地址的ecc功能正常。
23、在一种可能的实现方式中，所述基于所述注错类型和所述响应方式验证所述待测sram中针对该写地址的中断信号是否符合所述响应方式，包括：
24、若所述响应方式为触发中断信号，且所述注错类型为单比特错误，则在所述待测sram中针对该写地址的单比特ecc错误中断信号被拉高的情况下，确定所述待测sram的中断信号符合所述响应方式；
25、若所述响应方式为触发中断信号，且所述注错类型为双比特错误，则在所述sram中针对该写地址的双比特ecc错误中断信号被拉高的情况下，确定所述待测sram的中断信号符合所述响应方式；
26、若所述响应方式为不触发中断信号，则在所述待测sram中针对该写地址的中断信号未被拉高的情况下，确定所述待测sram的中断信号符合所述响应方式。
27、在一种可能的实现方式中，所述基于所述注错类型和所述纠错方式验证从该写地址读取出的数据与正确的写数据之间的关系是否正确，包括：
28、若所述注错类型为单比特错误，且所述纠错方式为需要纠错，则在读取出的数据与正确的写数据相同的情况下，确定读取出的数据与正确的写数据之间的关系正确；
29、若所述注错类型为单比特错误，且所述纠错方式为无需纠错，则在读取出的数据与正确的写数据之间符合单比特错误逻辑关系的情况下，确定读取出的数据与正确的写数据之间的关系正确；
30、若所述注错类型为双比特错误，且所述纠错方式为需要纠错，则在读取出的数据与正确的写数据之间符合双比特错误纠错逻辑关系的情况下，确定读取出的数据与正确的写数据之间的关系正确；
31、若所述注错类型为双比特错误，且所述纠错方式为无需纠错，则在读取出的数据与正确的写数据之间符合双比特错误逻辑关系的情况下，确定读取出的数据与正确的写数据之间的关系正确。
32、在一种可能的实现方式中，在所述记录ecc纠错结果之后，所述方法还包括：
33、判断是否满足注错终止条件，所述注错终止条件为注错次数达到预设次数，或者从首次注错的时刻至当前时刻之间的时长达到预设时长；
34、若是，则执行所述基于记录的各写地址对应的ecc纠错结果和正确的写数据验证ecc功能是否正常的步骤；
35、若否，则返回所述在监测到场景类序列组件对待测sram的写操作时，判断是否需要对所述写操作对应的写数据进行注错的步骤。
36、在一种可能的实现方式中，在所述基于记录的各写地址对应的ecc纠错结果和正确的写数据验证ecc功能是否正常之后，所述方法还包括：
37、将ecc状态寄存器以及所述待测sram的中断信号复位；
38、验证所述ecc状态寄存器是否恢复至默认状态，以及所述中断信号是否复位；
39、若任一验证结果为否，则确定所述ecc功能异常；
40、若验证结果均为是，则确定所述ecc功能正常。
41、第二本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种ECC功能测试方法，其特征在于，应用于ECC序列组件，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述判断是否需要对所述写操作对应的写数据进行注错之后，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述判断是否需要对所述写操作对应的写数据进行注错之前，所述方法还包括：
4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述基于记录的各写地址对应的ECC纠错结果和正确的写数据验证ECC功能是否正常，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述注错类型和所述响应方式验证所述待测SRAM中针对该写地址的中断信号是否符合所述响应方式，包括：
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述注错类型和所述纠错方式验证从该写地址读取出的数据与正确的写数据之间的关系是否正确，包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述记录ECC纠错结果之后，所述方法还包括：
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基于记录的各写地址对应的ECC纠错
9.一种ECC功能测试装置，其特征在于，应用于ECC序列组件，所述装置包括：
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述装置还包括注错模块；
11.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述装置还包括配置模块；
12.根据权利要求10或11所述的装置，其特征在于，所述验证模块，具体用于：
13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述验证模块，具体用于：
14.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述验证模块，具体用于：
15.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，
16.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述装置还包括复位模块；
17.一种电子设备，其特征在于，包括处理器、通信接口、存储器和通信总线，其中，处理器，通信接口，存储器通过通信总线完成相互间的通信；
18.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质内存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-8任一所述的方法。
...【技术特征摘要】
1.一种ecc功能测试方法，其特征在于，应用于ecc序列组件，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述判断是否需要对所述写操作对应的写数据进行注错之后，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述判断是否需要对所述写操作对应的写数据进行注错之前，所述方法还包括：
4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述基于记录的各写地址对应的ecc纠错结果和正确的写数据验证ecc功能是否正常，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述注错类型和所述响应方式验证所述待测sram中针对该写地址的中断信号是否符合所述响应方式，包括：
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述注错类型和所述纠错方式验证从该写地址读取出的数据与正确的写数据之间的关系是否正确，包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述记录ecc纠错结果之后，所述方法还包括：
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基于记录的各写地址对应的ecc纠错结果和正确的写...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄倩，杜昊，
申请(专利权)人：新华三半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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