【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及发光以及相关，具体地，涉及适用于一种发光芯片的制备方法和发光芯片。
技术介绍
1、led芯片(包括mini led和micro led)具有功能损耗低、寿命长、可靠性好、高亮度、高ppi等优点，广泛应用于高清显示。
2、led芯片中导电层与第二半导体层的接触电阻会直接影响led发光芯片的工作电压，现有技术中的导电层制备方式有一定技术缺陷，使得导电层与第二半导体层的接触电阻较高。
技术实现思路
1、本文中描述的实施例提供了一种发光芯片的制备方法和发光芯片，解决现有技术存在的问题。
2、根据本公开的第一方面，提供了一种发光芯片的制备方法，包括：
3、获取外延结构，其中，所述外延结构包括层叠设置在衬底基板上的第一半导体层、发光层和第二半导体层；
4、在所述外延结构远离所述衬底基板一侧制备导电层以形成中间结构，其中，所述导电层包括第一导电层和第二导电层，所述导电层与所述第二半导体层的功函数差值绝对值满足预设功函数差值绝对值范围；
5、所述第一导电层设置于第二半导体层远离所述衬底基板一侧，所述第二导电层设置于第一导电层远离所述衬底基板一侧；
6、在所述第二导电层远离衬底基板一侧设置电极层。
7、在本公开一些实施例中，所述在所述外延结构远离所述衬底基板一侧制备导电层，包括：
8、在所述外延结构远离所述衬底基板一侧制备形成第一导电层；
9、在所述第一导电层远离所述衬底基板
10、在本公开一些实施例中，所述在所述外延结构远离所述衬底基板一侧制备形成第一导电层，包括：
11、在第一气体环境下，调整磁控溅射设备的功率至第一功率，以制备形成第一导电层，所制成的第一导电层与所述第二半导体层的功函数差值绝对值满足预设功函数差值绝对值范围。
12、在本公开一些实施例中，所述第一气体环境中氩气和氧气的比例为25:1，所述第一功率为10w。
13、在本公开一些实施例中，所述在所述第一导电层远离所述衬底基板一侧制备形成第二导电层，包括：
14、在第二气体环境下，调整磁控溅射设备的功率至第二功率，以制备形成第二导电层。
15、在本公开一些实施例中，所述第二气体环境中氩气和氧气的比例为70:1，所述第二功率为100w。
16、在本公开一些实施例中，还包括：
17、对所述中间结构进行退火处理。
18、在本公开一些实施例中，所述对所述中间结构进行退火处理，包括：
19、在第一升温阶段，控制退火设备的腔体的温度上升至第一温度；
20、在第一持温阶段，基于所述第一温度对所述中间结构进行加热处理；
21、在第二升温阶段，控制所述退火设备的腔体的温度上升至第二温度；
22、在第二持温阶段，基于第二温度对所述第二导电层的晶体结构进行处理；
23、在降温阶段，控制所述退火设备的腔体的温度下降至初始温度。
24、在本公开一些实施例中，所述在第二持温阶段，基于第二温度对所述第二导电层的晶体结构进行处理之时，还包括：
25、向所述退火设备的腔体中通过氧气和氮气，其中，所述氧气和氮气的比例为1:4。
26、根据本公开的第二方面，提供了一种发光芯片，包括在衬底基板上阵列排布的发光单元以及位于所述发光单元远离所述衬底基板一侧的导电层，所述发光单元包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述导电层包括第一导电层和第二导电层，所述导电层与所述第二半导体层的功函数差值绝对值满足预设功函数差值绝对值范围；
27、所述第一导电层设置于第二半导体层远离所述衬底基板一侧，所述第二导电层设置于第一导电层远离所述衬底基板一侧；
28、在所述第二导电层远离衬底基板一侧设置电极层。
29、本公开实施例提供的发光芯片的制备方法和发光芯片，首先获取外延结构，然后通过在外延结构远离所述衬底基板一侧制备形成导电层。由于制备形成的导电层与第二半导体层的功函数差值绝对值满足预设功函数差值绝对值范围，因此导电层与第二半导体层之间具有较好的欧姆接触，降低了导电层与第二半导体层之间的接触电阻。此外，由于制备形成的导电层包括第一导电层和第二导电层，在制备形成第一导电层后，通过改变制备工艺形成第二导电层，使得制备形成的第二导电层具有较多的氧空位，因此，第二导电层的导电能力较高，即本公开实施例制备形成的导电层，在满足导电层导电能力的基础上，降低了导电层层与外延结构的接触电阻。
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1.一种发光芯片的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述外延结构远离所述衬底基板一侧制备导电层，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述外延结构远离所述衬底基板一侧制备形成第一导电层，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一气体环境中氩气和氧气的比例为25:1，所述第一功率为10W。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第一导电层远离所述衬底基板一侧制备形成第二导电层，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二气体环境中氩气和氧气的比例为70:1，所述第二功率为100W。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述对所述中间结构进行退火处理，包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在第二持温阶段，基于第二温度对所述第二导电层的晶体结构进行处理之时，还包括：
10.一种发光芯片，其特征在于，包括
...【技术特征摘要】
1.一种发光芯片的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述外延结构远离所述衬底基板一侧制备导电层，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述外延结构远离所述衬底基板一侧制备形成第一导电层，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一气体环境中氩气和氧气的比例为25:1，所述第一功率为10w。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第一导电层远离所述衬底基板一侧制备形成第二导电层，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二气体环境中氩气和氧气的比例为70:1，...
【专利技术属性】
技术研发人员：李晗光，杨宏林，
申请(专利权)人：厦门思坦半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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