一种耐压氮化镓器件的结构制造技术

本申请涉及一种耐压氮化镓器件的结构，该结构包括衬底、缓冲层、势垒层和钝化层，衬底背面形成有与衬底同型掺杂的重掺杂层；衬底的处理表面注入形成有深植入区，深植入区形成有重掺杂的浅植入区，深植入区和浅植入区相对于衬底为异型掺杂；缓冲层外延形成于处理表面上，势垒层外延形成于缓冲层上并用于提供沟道形成层；势垒层和缓冲层连续贯穿设置有达到浅植入区的通道；钝化层形成有间隔设置的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，第一沟槽内设置有源极，第二沟槽内设置有栅极，第三沟槽对准所述通道且内设置有漏极，漏极通过所述通道与浅植入区电接触。本申请具有通过构造PN结实现对耐压氮化镓器件主体结构的过压保护的功能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体领域，尤其是涉及一种耐压氮化镓器件的结构。

技术介绍

1、在半导体领域中，氮化镓（gan）已逐渐成为研究的热点，它拥有一些独特的优势。氮化镓的特性包括宽禁带、高电子迁移速度、高热导率、耐腐蚀以及抗辐射等优良性能，这些优势使其在制造高温、高频、大功率电子器件方面显得尤为出色。而这些器件正是许多先进电子系统和高性能集成电路不可或缺的关键组成部分，为新一代电子设备提供了广阔的应用空间。

2、对于目前已有的高耐压 gan hfet（高电子迁移率场效应晶体管）结构而言，主要采用的是横向器件构造。在这种结构中，器件主要由衬底、缓冲层、势垒层以及在势垒层上形成的源极、漏极和栅极等几个关键部分组成。这些部分协同工作，构成了整个高耐压 ganhfet的基础结构。

3、然而，尽管氮化镓的特性使其在许多方面表现出色，但在实际应用中仍存在一些限制。由于受限于现有工艺和器件结构，目前仍然难以实现功率开关器件需要的必要雪崩耐量能力。换句话说，如果在系统应用中出现高于器件物理击穿水平的电压被施加到漏极到源极之间或漏极到栅极之间，将立即产生不可恢复本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种耐压氮化镓器件的结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的耐压氮化镓器件的结构，其特征在于，所述衬底(1)为P型离子轻掺杂，所述重掺杂层(111)为P型离子重掺杂层；所述深植入区(112)为N型离子轻掺杂，所述浅植入区(113)为N型离子重掺杂，所述深植入区(112)在衬底(1)处形成N阱。

3.根据权利要求2所述的耐压氮化镓器件的结构，其特征在于，所述衬底(1)、重掺杂层(111)、浅植入区(113)和深植入区(112)配合形成PN结，所述PN结的反向击穿电压小于缓冲层(2)的击穿电压。

4.根据权利要求1所述的耐压氮化镓器件的结构，...

【技术特征摘要】

1.一种耐压氮化镓器件的结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的耐压氮化镓器件的结构，其特征在于，所述衬底(1)为p型离子轻掺杂，所述重掺杂层(111)为p型离子重掺杂层；所述深植入区(112)为n型离子轻掺杂，所述浅植入区(113)为n型离子重掺杂，所述深植入区(112)在衬底(1)处形成n阱。

3.根据权利要求2所述的耐压氮化镓器件的结构，其特征在于，所述衬底(1)、重掺杂层(111)、浅植入区(113)和深植入区(112)配合形成pn结，所述pn结的反向击穿电压小于缓冲层(2)的击穿电压。

4.根据权利要求1所述的耐压氮化镓器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑凌波，张杰，王福龙，王叶梅，
申请(专利权)人：深圳市力生美半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：