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本申请涉及一种耐压氮化镓器件的结构，该结构包括衬底、缓冲层、势垒层和钝化层，衬底背面形成有与衬底同型掺杂的重掺杂层；衬底的处理表面注入形成有深植入区，深植入区形成有重掺杂的浅植入区，深植入区和浅植入区相对于衬底为异型掺杂；缓冲层外延形成于处...
该专利属于深圳市力生美半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市力生美半导体股份有限公司授权不得商用。

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