System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 显示装置制造方法及图纸_技高网

显示装置制造方法及图纸

技术编号:40020436 阅读:9 留言:0更新日期:2024-01-16 16:40
一种显示装置,包括:基板;半导体,位于基板上;第一栅绝缘层,位于半导体上;栅电极,位于第一栅绝缘层上,并且与半导体重叠;信号线,与栅电极间隔开;牺牲层,位于信号线上,并且包括非晶硅材料;层间绝缘层,位于栅电极和牺牲层上;源电极,位于层间绝缘层上,并且连接到半导体的第一区域;漏电极,位于层间绝缘层上,并且连接到半导体的第二区域;以及连接构件,位于层间绝缘层上,并且连接到信号线。

【技术实现步骤摘要】

本公开实施例的方面涉及一种显示装置和显示装置的制造方法。


技术介绍

1、显示装置用于显示画面,并且包括液晶显示装置和有机发光二极管显示装置等。显示装置被用在诸如移动电话、导航单元、数码相机、电子书、便携式游戏机和各种终端的各种电子装置中。

2、有机发光二极管显示装置具有自发光特性,并且因为它与液晶显示装置不同,不需要单独的光源,所以有机发光二极管显示装置的厚度和重量可以减小。此外,有机发光二极管显示装置具有诸如低功耗、高亮度和高响应速度的高质量特性。

3、在该
技术介绍
部分中公开的以上信息是为了加强对本公开背景的理解,并且因此它可能包含不构成现有技术的信息。


技术实现思路

1、有机发光二极管显示装置包括多个像素,多个像素包括形成在每个像素中的是自发光元件的有机发光二极管以及驱动有机发光二极管的多个晶体管和一个或多个电容器。此外,形成各种布线以将电压(例如,预定的电压)传输到每个像素。

2、绝缘层可以设置在构成晶体管的多个层之间以及各种布线之间。开口可以形成在绝缘层中,并且在形成开口的工艺中,一些暴露的层或布线可能被损坏或是断开。

3、本公开实施例针对一种显示装置及显示装置的制造方法,其中可以防止或基本防止在制造工艺中发生对布线等的损坏。

4、根据本公开的一个或多个实施例,显示装置包括:基板;半导体,位于基板上;第一栅绝缘层,位于半导体上;栅电极,位于第一栅绝缘层上,并且与半导体重叠;信号线,与栅电极间隔开;牺牲层,位于信号线上,并且包括非晶硅材料;层间绝缘层,位于栅电极和牺牲层上;源电极,位于层间绝缘层上,并且连接到半导体的第一区域;漏电极,位于层间绝缘层上,并且连接到半导体的第二区域;以及连接构件,位于层间绝缘层上,并且连接到信号线。

5、在实施例中,显示装置可以进一步包括:第二栅绝缘层,位于栅电极上;和存储电极,位于第二栅绝缘层上,并且与栅电极重叠。信号线可以包括:第一信号线,与栅电极的层位于同一层处;和第二信号线,与存储电极的层位于同一层处。

6、在实施例中,牺牲层可以包括:第一牺牲层,直接位于第一信号线上;和第二牺牲层,直接位于第二信号线上。

7、在实施例中,第一牺牲层可以进一步直接位于栅电极上;并且第二牺牲层可以进一步直接位于存储电极上。

8、在实施例中,第一牺牲层可以具有与栅电极和第一信号线的平面形状相同的平面形状,并且第二牺牲层可以具有与存储电极和第二信号线的平面形状相同的平面形状。

9、在实施例中,连接构件可以包括:第一连接构件,连接到第一信号线;和第二连接构件,连接到第二信号线。第一连接构件可以延伸穿过层间绝缘层、第二栅绝缘层和第一牺牲层,以连接到第一信号线。第二连接构件可以延伸穿过层间绝缘层和第二牺牲层,以连接到第二信号线。

10、在实施例中,第一连接构件的底表面可以与第一信号线接触,并且第一连接构件的侧表面可以被层间绝缘层、第二栅绝缘层和第一牺牲层围绕,并且第二连接构件的底表面可以与第二信号线接触,并且第二连接构件的侧表面可以被层间绝缘层和第二牺牲层围绕。

11、在实施例中,第一牺牲层和第二牺牲层可以位于整个基板上。

12、在实施例中,牺牲层可以直接位于第二信号线和存储电极上。

13、在实施例中,信号线可以包括:下信号线,包括铝;和上信号线,位于下信号线上,并且包括钛。

14、根据本公开的一个或多个实施例,显示装置的制造方法包括:在基板上形成半导体;在半导体上形成第一栅绝缘层;在第一栅绝缘层上形成栅电极;形成与栅电极间隔开的信号线;通过使用非晶硅材料在栅电极和信号线上形成牺牲层;在牺牲层上形成层间绝缘层;以及在层间绝缘层上形成源电极、漏电极和连接构件。源电极连接到半导体的第一区域,漏电极连接到半导体的第二区域,并且连接构件连接到信号线。

15、在实施例中,该方法可以进一步包括:在栅电极上形成第二栅绝缘层;以及在第二栅绝缘层上形成与栅电极重叠的存储电极。信号线可以包括:第一信号线,与栅电极在同一工艺中形成;以及第二信号线,与存储电极在同一工艺中形成。

16、在实施例中,牺牲层可以包括:第一牺牲层,直接位于第一信号线上;以及第二牺牲层,直接位于第二信号线上。

17、在实施例中,栅电极、第一信号线和第一牺牲层可以通过在第一栅绝缘层上连续地沉积第一栅材料层和第一牺牲材料层并图案化第一栅材料层和第一牺牲材料层来形成。存储电极、第二信号线和第二牺牲层可以通过在第二栅绝缘层上连续地沉积第二栅材料层和第二牺牲材料层并图案化第二栅材料层和第二牺牲材料层来形成。

18、在实施例中,第一牺牲层可以通过使用同一掩模与栅电极和第一信号线被一起图案化,并且第二牺牲层可以通过使用同一掩模与存储电极和第二信号线被一起图案化。

19、在实施例中,连接构件可以包括:第一连接构件,连接到第一信号线;以及第二连接构件,连接到第二信号线。第一连接构件可以延伸穿过层间绝缘层、第二栅绝缘层和第一牺牲层,以连接到第一信号线。第二连接构件可以延伸穿过层间绝缘层和第二牺牲层,以连接到第二信号线。

20、在实施例中,第一连接构件的底表面可以与第一信号线接触,并且第一连接构件的侧表面可以被层间绝缘层、第二栅绝缘层和第一牺牲层围绕;并且第二连接构件的底表面可以与第二信号线接触,并且第二连接构件的侧表面可以被层间绝缘层和第二牺牲层围绕。

21、在实施例中,第一牺牲层和第二牺牲层可以完全形成在基板上。

22、在实施例中,牺牲层可以直接位于第二信号线和存储电极上。

23、在实施例中,信号线可以包括:下信号线,包括铝;和上信号线,位于下信号线上,并且包括钛。

24、根据本公开的一个或多个实施例,可以提供一种显示装置及其制造方法,其中可以防止或基本防止在显示装置的制造工艺中发生对布线等的损坏。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种显示装置,包括:

2.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括:

3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述牺牲层包括:

4.根据权利要求3所述的显示装置,其中:

5.根据权利要求4所述的显示装置,其中:

6.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述连接构件包括:

7.根据权利要求6所述的显示装置,其中:

8.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第一牺牲层和所述第二牺牲层位于整个所述基板上。

9.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述牺牲层直接位于所述第二信号线和所述存储电极上。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的显示装置,其中,所述信号线包括:

【技术特征摘要】

1.一种显示装置,包括:

2.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括:

3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述牺牲层包括:

4.根据权利要求3所述的显示装置,其中:

5.根据权利要求4所述的显示装置,其中:

6.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述连接构件包括:

【专利技术属性】
技术研发人员:郑多云丁有光裵水斌姜泰旭
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1