【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光电领域。发现在光电器件例如基于gan纳米线的发光二极管的制造中具有特别有利的应用。
技术介绍
1、通常，基于gan的发光二极管(led)包括载流子(电子或空穴)注入区，有源区置于载流子(电子或空穴)注入区之间。
2、有源区是电子-空穴对发生辐射重组从而允许获得光发射的位置。该有源区位于pn结处。它包括量子阱，例如基于ingan的量子阱。
3、载流子注入区允许在有源区处传输和注入电流。对于某些应用，特别是对于显示技术，优选的是减少led中的注入电流。为了保持有效的操作和足够的辐射率，可能有必要对这些载流子注入区进行改进。
4、通常，空穴注入区是基于p-gan的。在空穴注入区的形成期间，空穴注入区最初包含被吸收的氢中和的一定浓度的杂质，例如镁mg。这些“电非活性”杂质必须被活化以形成受体位点。因此，为了具有有效的p型导电性，需要对空穴注入区施加活化步骤。通常，该活化步骤是通过热退火完成的。在退火过程中，中和杂质的氢被释放，然后杂质形成“活性”受体位点。这些受体位点的浓度(称为受体浓度)取决...
【技术保护点】
1.一种基于GaN的发光二极管(1)，所述基于GaN的发光二极管(1)包括：
2.根据前一权利要求所述的发光二极管(1)，其中，所述氢阻挡层(12)覆盖所述空穴注入区(11)的仅所述至少一个非活化部分(11”)。
3.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管(1)，所述发光二极管(1)包括所谓的氢储存层(15)，所述氢储存层(15)置于所述氢阻挡层(12)与所述非活化部分(11”)之间，所述氢储存层(15)被配置成：至少在所述活化部分(11')的活化期间，在所述非活化部分(11”)内提供氢补充。
4.根据前一权利要求所述的发光二极管...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基于gan的发光二极管(1)，所述基于gan的发光二极管(1)包括：
2.根据前一权利要求所述的发光二极管(1)，其中，所述氢阻挡层(12)覆盖所述空穴注入区(11)的仅所述至少一个非活化部分(11”)。
3.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管(1)，所述发光二极管(1)包括所谓的氢储存层(15)，所述氢储存层(15)置于所述氢阻挡层(12)与所述非活化部分(11”)之间，所述氢储存层(15)被配置成：至少在所述活化部分(11')的活化期间，在所述非活化部分(11”)内提供氢补充。
4.根据前一权利要求所述的发光二极管(1)，其中，所述氢储存层(15)是基于氮化硅的，并且所述氢储存层(15)具有包含在0.1％至20％之间的氢原子浓度。
5.根据权利要求1至2中任一项所述的发光二极管(1)，其中，所述氢阻挡层(12)与所述至少一个非活化部分(11”)直接地接触。
6.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管(1)，其中，所述非活化部分(11”)具有比所述活化部分(11')的缺陷水平大的缺陷水平。
7.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管(1)，所述发光二极管(1)还包括钝化层(13)，所述钝化层(13)以与所述氢阻挡层(12)接触的方式延伸。
8.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管(1)，其中，所述有源区(101)位于所述空穴注入区(11)与所述电子注入区(10)之间的pn结内。
9.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管(1)，其中，所述氢阻挡层(12)是基于aln、n-gan、n-algan中的至少一者的。
10.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管(1)，其中，所述电子注入区(10)和所述空穴注入区(11)沿基平面(xy)延伸，并且其中，所述氢阻挡层(12)具有至少一个开口，所述至少一个开口被配置成使所述空穴注入区(11)的所述活化部分(11')暴露。
11.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管(1)，其中，所述电子注入区(10)沿着纵向方向(z)以线的形式纵向地延伸，并且所述空穴注入区(11)围绕所述电子注入区(10)径向地延伸，使得所述二极管(1)具有所谓的芯壳架构，并且其中，所述氢阻挡层(12)围绕所述非活化部分(11”)以环的形式径向地延伸。
12.根据前一权利要求所述的发光二极管(1)，其中，具...
【专利技术属性】
技术研发人员：皮埃尔·楚尔菲安，伯努瓦·阿姆施塔特，蒂莫泰·拉西亚，约恩·马利耶，
申请(专利权)人：艾利迪公司，
类型：发明
国别省市：
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