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本发明涉及基于GaN的发光二极管(1)，所述基于GaN的发光二极管(1)包括：基于n‑GaN的电子注入区(10)；基于p‑GaN的空穴注入区(11，11')；有源区，所述有源区位于电子注入区(10)与空穴注入区(11，11')之间，所述有源...
该专利属于艾利迪公司所有，仅供学习研究参考，未经过艾利迪公司授权不得商用。

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