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【技术实现步骤摘要】
本申请涉及图像处理,特别是涉及一种导电炭黑晶格参数提取方法、装置和计算机设备。
技术介绍
1、导电炭黑是典型的导电性能特化的一类特种炭黑,因其出色的导电性能和较高的性价比而广泛应用于电子器件、矿用管材、电缆屏蔽料、航天航空工业、石油化工以及电力储能等诸多领域。此外,导电炭黑相较于石墨烯、碳纳米管等高导电填料,由于其出色的性价比,因此在能源领域越来越受到青睐,例如在(动力)锂离子电池、铅酸电池和超级电容器中作为导电剂使用。
2、现有的导电炭黑的评价方法包括高分辨率透射电镜技术(hrtem,highresolution transmission electron microscope)、拉曼光谱法、xrd(x射线衍射,x-raydiffraction)、红外光谱、dbp(dibutyl phthalate,邻苯二甲酸二丁酯)吸油值等基础性质的表征手段,目前高分辨率透射电镜技术已被广泛应用在了碳系材料的芳香烃片层等微观的理化结构特征分析中。
3、然而,高分辨率透射电镜技术作为表征碳系材料微观结构的重要工具,除形貌观察外,从其图像中所获得的信息十分有限,通常只进行定性分析,理论计算复杂。在定量分析时,目前技术针对导电炭黑的基础表征手段所计算出来相关参数效果有限,如利用xrd计算导电炭黑芳香烃片层的堆叠层数和层间距不精准,并且不同种类的导电炭黑材料(如炉法黑和乙炔黑)差距较为明显,但同品种材料之间的差异相对较小,很难作为参考。因此定量分析的准确度有待提高。
技术实现思路
< ...【技术保护点】
1.一种导电炭黑晶格参数提取方法,其特征在于,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述电镜原始图像获取二值化图像包括:
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述遍历所述二值化图像中赋值为0的所述像素点,获取满足预设规则的有效像素点包括:
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述预设条件为相邻两个所述主体区域之间的间隔像素点的数量不大于第三阈值;或者相邻两个所述主体区域之间存在孤岛像素点,且相邻两个所述主体区域之间的所述间隔像素点的数量不大于第四阈值;所述间隔像素点为沿所述有效像素点的遍历顺序,两个相邻的且分别位于相邻所述主体区域的所述有效像素点之间的像素点;所述孤岛像素点为沿所述有效像素的遍历顺序,两个相邻的且分别位于相邻两个主体区域的所述有效像素点之间的赋值为0的像素点。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述对所述预设区域内赋值为1的所述像素点赋值为0后,所述方法还包括:
6.根据权利要求1至5任意一项所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
7.一种导
8.一种计算机设备,包括存储器和处理器,所述存储器存储有计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。
9.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。
10.一种计算机程序产品,包括计算机程序,其特征在于,该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种导电炭黑晶格参数提取方法,其特征在于,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述电镜原始图像获取二值化图像包括:
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述遍历所述二值化图像中赋值为0的所述像素点,获取满足预设规则的有效像素点包括:
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述预设条件为相邻两个所述主体区域之间的间隔像素点的数量不大于第三阈值;或者相邻两个所述主体区域之间存在孤岛像素点,且相邻两个所述主体区域之间的所述间隔像素点的数量不大于第四阈值;所述间隔像素点为沿所述有效像素点的遍历顺序,两个相邻的且分别位于相邻所述主体区域的所述有效像素点之间的像素点;所述孤岛像素点为沿所述有效像素的遍历顺序,两个相邻的且分别位于相邻两个主体区域的所述有效像素点之间的赋值为0...
【专利技术属性】
技术研发人员:侯帅,展云鹏,何文,傅明利,贾磊,惠宝军,冯宾,朱闻博,陈云,罗鑫洪,陈小琼,杨巧源,
申请(专利权)人:南方电网科学研究院有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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