【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶片薄膜生产设备领域，具体涉及一种lpcvd软着陆双层炉管机构。
技术介绍
1、topcon电池工艺一般为：先正面制绒、硼扩，再进行背面隧穿层、掺杂多晶硅层制备，之后再正面al2o3膜层制备、正反面sinx膜制备，最后金属化；与perc时代时工艺路线之争相似，topcon工艺路线同样存在诸多争议与分歧。整体看，topcon工艺的核心争议在掺杂多晶硅层的制备方法上，分为lpcvd/pecvd/pvd路线；隧穿层sio2膜的制备方法可以是lpcvd、pecvd、ald等方式；多晶硅层制备，从工序角度可分为原位掺杂、非原位掺杂。原位掺杂，即在同一工步完成多晶硅层沉积、多晶硅层磷掺杂；非原位掺杂，即在多晶硅层沉积后，通过扩散炉或者离子注入的方法进行磷掺杂。从制备方法上，多晶硅层制备可分为，lpcvd、pecvd、pvd、apcvd等。
2、而其中lpcvd是低压化学气相沉积(low-pressure chemical vapor deposition)的缩写，低压主要是相对于常压的apcvd而言，主要区别点就是工作环境的压强，lpcvd的压强通常只有10～1000pa，而apcvd压强约为101.325kpa；cvd沉积过程中，气体输运速度与化学反应速度的相对快慢决定了薄膜质量、化学成分以及化学计量比。在常压情况下，气体的反应速度与气体输运速度比例接近于1或处于同一数量级，会导致气体反应不充分，反应速度跟不上，沉积的薄膜非标准化学计量(如sinx)，包含大量的n-h/si-h键，同时夹杂副产物气体，产生大量孔洞
3、目前，专利号为202022645565.9的中国专利公开了一种双层反应腔体结构，它包括炉口、腔体以及炉尾；腔体设置于炉口以及炉尾之间；腔体包括内层腔体以及外层腔体，内层腔体设置于外层腔体的内部；外层腔体分别与炉口以及炉尾固定连接；内层腔体与炉口可拆式连接，内层腔体还与炉尾连接。
4、这种双层反应腔体结构虽然通过设置内层腔体和外层腔体的结构，在内层腔体上形成膜，由外层腔体承受真空压力，实现膜应力和真空压力的分离，进而增强腔体的承受能力，但是实际生产过程中lpcvd内石英管出现炸裂，需要定期更换内石英管；在沉积过程中内石英管和石英舟都会淀积上一层poly薄膜，随着工艺炉次的增多，这些薄膜越来越厚，当其达到一定厚度时，因为poly薄膜与内石英管表面产生的应力(张力)便会出现内石英管的硅裂现象，从而导致内石英管的破损，极大降低了内石英管的使用寿命，造成内石英管频繁的更换，使运行成本增高因此导致生产成本的上升。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种lpcvd软着陆双层炉管机构，其具有可以有效的增加内石英管的使用寿命，降低生产成本，同时适用于软著陆的lpcvd的优点。
2、本专利技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：
3、一种lpcvd软着陆双层炉管机构，包括炉体，炉体一侧设有炉口，另一侧设有炉尾，所述炉体内还设有石英管，所述石英管内设有金属管，所述炉体靠近炉口一端通过第一法兰组分别与石英管及金属管连接，所述炉体靠近炉尾一端还通过第二法兰组与石英管及金属管连接，所述金属管与第二法兰组之间还设有金属波纹管，所述金属管内还设有支撑装置，所述支撑装置上还设有放置装置。
4、通过采用上述技术方案，设有的金属管可以有效的保证整个沉淀的物质附着在金属管表面，而不会对石英管造成损伤，由于密封连接，有效的减少管内的物质泄露到外部，同时设有的金属波纹管可以有效的防止金属管再出现热胀冷缩的情况下出现膨胀变量，可以用于补偿金属的型变量，并且由于是软着陆的方式为了放置舟浆需要提供支撑装置进行放置，同时设置在两端的第一法兰组及第二法兰组一方面可以有效的降低周围的温度，同时可以有效的对金属管与石英管之间进行有效的密封，而金属波纹管本身呈现为折叠状，而折叠的顶端与法兰组之间可以有效的进行密封连接，从而有效保证了密封性能，但是由于在高温环境下本身的金属具有一定型变量，而光靠这种密封无法有效的保证密封性能，因此在法兰组之间设置的密封垫圈一方面是为了放置法兰组之间出现冷却液的相互泄露情况，同时另一方面可以有效的避免波纹管无法有效密封的情况下进行逐级密封，保证了波纹管与石英管，石英管与外管及外管与外界的多层级密封。
5、进一步设置：所述支撑装置包括两端分别与第一法兰组及第二法兰组连接的固定杆、位于固定杆顶端设有的放置槽及位于放置槽之间设有的支撑杆。
6、通过采用上述技术方案，设有的支撑杆与放置槽连接可以方便拆卸及安装，同时也不会对金属管内壁造成损伤，方便舟托进入到炉体内，并给予舟托一定的支撑。
7、进一步设置：所述放置装置包括位于支撑杆上设有的放置舟、位于放置舟上设有若干并列排布的放置杆及位于放置杆上设有的芯片槽。
8、通过采用上述技术方案，设有的放置装置可以有效的在芯片槽上放置芯片，从而送入到炉体内进行工艺反应。
9、进一步设置：所述放置舟两侧还设有挡板，所述挡板上设有若干通气孔，所述放置舟底部还设有与支撑杆抵触的卡口，所述卡口底部为弧形。
10、通过采用上述技术方案，设有的挡板可以有效的保护内部的芯片，同时设置了通孔减少工艺对芯片表面的影响，并且为了防止底部对于金属管的损伤，设置为弧形，可以最大程度的保护金属管。
11、进一步设置：所述炉口还设有贯穿第一法兰组的进气口，所述第一法兰组为水冷法兰，所述第一法兰组上还设有第一进水口及第一出水口。
12、通过采用上述技术方案，设有的水冷法兰可以有效的对炉口进行降温，减少炉内的温度外透到外部。
13、进一步设置：所述第二法兰组上还设有与炉体连通的通气管，所述第二法兰组为水冷法兰，所述第二法兰组上还设有第二进水口及第二出水口。
14、通过采用上述技术方案，同样第二组水冷法兰也是为了降低炉尾的温度，减少传递到外面过热。
15、进一步设置：所述放置槽与支撑杆之间还设有固定箍。
16、通过采用上述技术方案，设有的固定箍可以有效的将固定杆与支撑杆连接在一起，减少出现晃动因素导致脱落的情况。
17、进一步设置：所述炉体外壁上还设有若干并列排布的辅热接线端子，所述辅热接线端子上方还设有主加热接线端子，所述辅热接线端子下方还并列排布若干外热电偶。
18、通过采用上述技术方案，设有的接线端子主要用于与外部的设备连接，从而快速让炉体内部进行升温。
19、进一步设置：所述第一法兰组上还设有贯穿第一法兰组的特气管及进气管。
20、通过采用上述技术方案，设有的特气管以及进气管可以有效的使得炉体在工艺过程本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种LPCVD软着陆双层炉管机构，包括炉体(1)，炉体(1)一侧设有炉口(2)，另一侧设有炉尾(3)，其特征在于：所述炉体(1)内还设有石英管(4)，所述石英管(4)内设有金属管(5)，所述炉体(1)靠近炉口(2)一端通过第一法兰组(6)分别与石英管(4)及金属管(5)连接，所述炉体(1)靠近炉尾(3)一端还通过第二法兰组(7)与石英管(4)及金属管(5)连接，所述金属管(5)与第二法兰组(7)之间还设有金属波纹管(8)，所述金属管(5)内还设有支撑装置(9)，所述支撑装置(9)上还设有放置装置(10)；
2.根据权利要求1所述的一种LPCVD软着陆双层炉管机构，其特征在于：所述支撑装置(9)包括两端分别与第一法兰组(6)及第二法兰组(7)连接的固定杆(91)、位于固定杆(91)顶端设有的放置槽(92)及位于放置槽(92)之间设有的支撑杆(93)。
3.根据权利要求2所述的一种LPCVD软着陆双层炉管机构，其特征在于：所述放置装置(10)包括位于支撑杆(93)上设有的放置舟(101)、位于放置舟(101)上设有若干并列排布的放置杆(102)及位于放置杆
4.根据权利要求3所述的一种LPCVD软着陆双层炉管机构，其特征在于：所述放置舟(101)两侧还设有挡板(11)，所述挡板(11)上设有若干通气孔(12)，所述放置舟(101)底部还设有与支撑杆(93)抵触的卡口(13)，所述卡口(13)底部为弧形。
5.根据权利要求4所述的一种LPCVD软着陆双层炉管机构，其特征在于：所述放置槽(92)与支撑杆(93)之间还设有固定箍(20)。
6.根据权利要求5所述的一种LPCVD软着陆双层炉管机构，其特征在于：所述炉体(1)外壁上还设有若干并列排布的辅热接线端子(21)，所述辅热接线端子(21)上方还设有主加热接线端子(22)，所述辅热接线端子(21)下方还并列排布若干外热电偶(23)。
7.根据权利要求6所述的一种LPCVD软着陆双层炉管机构，其特征在于：所述第一法兰组(6)上还设有贯穿第一法兰组(6)的特气管(24)及进气管(25)。
...【技术特征摘要】
1.一种lpcvd软着陆双层炉管机构，包括炉体(1)，炉体(1)一侧设有炉口(2)，另一侧设有炉尾(3)，其特征在于：所述炉体(1)内还设有石英管(4)，所述石英管(4)内设有金属管(5)，所述炉体(1)靠近炉口(2)一端通过第一法兰组(6)分别与石英管(4)及金属管(5)连接，所述炉体(1)靠近炉尾(3)一端还通过第二法兰组(7)与石英管(4)及金属管(5)连接，所述金属管(5)与第二法兰组(7)之间还设有金属波纹管(8)，所述金属管(5)内还设有支撑装置(9)，所述支撑装置(9)上还设有放置装置(10)；
2.根据权利要求1所述的一种lpcvd软着陆双层炉管机构，其特征在于：所述支撑装置(9)包括两端分别与第一法兰组(6)及第二法兰组(7)连接的固定杆(91)、位于固定杆(91)顶端设有的放置槽(92)及位于放置槽(92)之间设有的支撑杆(93)。
3.根据权利要求2所述的一种lpcvd软着陆双层炉管机构，其特征在于：所述放置装置(10)包括位于支撑杆(93)上设有的放置舟(101)、位于放置...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘永法，刘敏星，高维扬，
申请(专利权)人：赛瑞达智能电子装备无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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