一种测试结构及其形成方法、半导体存储器技术

本公开实施例提供了一种测试结构及其形成方法、半导体存储器，该测试结构包括多条字线和多条位线，且每一字线和每一位线的交叉位置形成一个垂直晶体管；测试结构包括第一区域和第二区域，且第二区域在第一区域外侧，第一区域中的字线与第二区域中的字线不连接，第一区域中的位线与第二区域中的位线不连接；位于第一区域中的多个垂直晶体管共同形成测试阵列，位于测试阵列中间的垂直晶体管为待测试器件。这样，利用第一区域中的垂直晶体管形成小尺寸的测试阵列，减少了字线/位线上的高阻对于测试结果的影响，使测试结果能够更准确的表征待测试器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体领域，尤其涉及一种测试结构及其形成方法、半导体存储器。

技术介绍

1、垂直晶体管(vgaa)在可微缩性、高性能和低功耗方面更具优势，被认为是下一代集成电路关键核心技术。然而，对于垂直晶体管来说，其性能更容易受到位线阻值/字线阻值的影响。因此，在对垂直晶体管进行测试时，需要尽可能排除位线阻值和字线阻值的影响，更专注于垂直晶体管本身的性能。

技术实现思路

1、本公开提供了一种测试结构及其形成方法、半导体存储器，利用第一区域中的垂直晶体管形成小尺寸的测试阵列，提高垂直晶体管的测试效果。

2、本公开的技术方案是这样实现的：

3、第一方面，本公开实施例提供了一种测试结构，所述测试结构包括多条字线和多条位线，且每一字线和每一位线的交叉位置形成一个垂直晶体管；所述测试结构包括第一区域和第二区域，且所述第二区域在所述第一区域外侧，所述第一区域中的字线与所述第二区域中的字线不连接，所述第一区域中的位线与所述第二区域中的位线不连接；位于所述第一区域中的多个垂直晶体管共同形成测试阵列，位于所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种测试结构，其特征在于，所述测试结构包括多条字线和多条位线，且每一字线和每一位线的交叉位置形成一个垂直晶体管；

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括栅极接触节点和源极接触节点；

3.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括第一金属层、第二金属层和第三金属层；

4.根据权利要求3所述的测试结构，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的测试结构，其特征在于，

6.根据权利要求1-5任一项所述的测试结构，其特征在于，所述测试阵列的大小为(m×n)阵列，m和n均为正整数，m和n相等或者...

【技术特征摘要】

1.一种测试结构，其特征在于，所述测试结构包括多条字线和多条位线，且每一字线和每一位线的交叉位置形成一个垂直晶体管；

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括栅极接触节点和源极接触节点；

3.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括第一金属层、第二金属层和第三金属层；

4.根据权利要求3所述的测试结构，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的测试结构，其特征在于，

6.根据权利要求1-5任一项所述的测试结构，其特征在于，所述测试阵列的大小为(m×n)阵列，m和n均为正整数，m和n相等或者不等；

7.一种测试结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

8.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述图案化所述测试结构形成第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋懿，肖德元，韩清华，蔡孟峯，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：