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本公开实施例提供了一种测试结构及其形成方法、半导体存储器，该测试结构包括多条字线和多条位线，且每一字线和每一位线的交叉位置形成一个垂直晶体管；测试结构包括第一区域和第二区域，且第二区域在第一区域外侧，第一区域中的字线与第二区域中的字线不连接...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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