一种GaN基发光芯片外延层、发光芯片及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种GaN基发光芯片外延层、发光芯片及其制作方法。该GaN基发光芯片外延层包括有源层，有源层包括沿生长方向依次生长的应变层、前量子阱垒层和量子阱垒层；应变层包括至少两个沿所述生长方向依次生长的第一量子阱垒，前量子阱垒层包括至少两个沿所述生长方向依次生长的第二量子阱垒，量子阱垒层包括至少两个沿所述生长方向依次生长的第三量子阱垒；各第一量子阱垒、第二量子阱垒和第三量子阱垒的禁带均为V型。可以降低阱垒晶体生长失配，缓解量子斯塔克效应，有效的提高晶体生长质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种gan基发光芯片外延层、发光芯片及其制作方法。

技术介绍

1、目前led外延层多采用mocvd方式制成。由于gan材料具有宽带隙，高电子迁移率，高热导率，高硬度，高稳定的化学性质，较小的介电常数和耐高温等一系列优点，故其在高亮度发光二极管及半导体激光器中有着广泛的实际应用价值和巨大的市场潜力。而在相关技术中gan基发光芯片外延层核心部分的有源层一般都是采用ingan/gan mqw(多量子阱)层，也即将ingan层作为量子阱区、将gan层作为量子垒区。为了实现量子阱材料的光发射，ingan层中的in含量较高，导致量子阱区与gan层的量子垒区间的失配应变增大，界面极化电荷的增多，使得阱内极化电场增强。由此引起的增强的qcse量子限制斯塔克效应，将显著减小材料的发光效率。

2、因此，如何降低有源层中阱垒的生长失配，减小量子限制斯塔克效应、提高发光芯片的发光效率的是亟需解决的问题。

技术实现思路

1、鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种gan基发光芯片外延层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种GaN基发光芯片外延层，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的GaN基发光芯片外延层，其特征在于，各所述第一量子阱垒均包括：沿所述生长方向依次生长的第一量子阱子层和第二量子阱子层；

3.如权利要求2所述的GaN基发光芯片外延层，其特征在于，各所述第二量子阱垒均包括：沿所述生长方向依次生长的第三量子阱子层和第四量子阱子层；

4.如权利要求3所述的GaN基发光芯片外延层，其特征在于，各所述第三量子阱垒均包括：沿所述生长方向依次生长的第五量子阱子层、第六量子阱子层和第七量子阱子层；

5.如权利要求4所述的GaN基发光芯片外延层，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种gan基发光芯片外延层，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的gan基发光芯片外延层，其特征在于，各所述第一量子阱垒均包括：沿所述生长方向依次生长的第一量子阱子层和第二量子阱子层；

3.如权利要求2所述的gan基发光芯片外延层，其特征在于，各所述第二量子阱垒均包括：沿所述生长方向依次生长的第三量子阱子层和第四量子阱子层；

4.如权利要求3所述的gan基发光芯片外延层，其特征在于，各所述第三量子阱垒均包括：沿所述生长方向依次生长的第五量子阱子层、第六量子阱子层和第七量子阱子层；

5.如权利要求4所述的gan基发光芯片外延层，其特征在于，所述x1取值为0.005-0.05；所述x2取值为0.02-0.08；所述x3取值为0.15-0.3。

6.如权利要求4或5所述的发光芯片外延层，其特征在于，所述x3大于所述x2，所述x2大于所述x1；所述n3小于所述n2，所述n2小于所述n1。

7.一种发光芯片，其特征在于，包括：如权利要求1-6任一项所述的gan基发光芯片外延层。

8.一种gan基发光芯片外延层的制作方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄兆斌，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：