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本发明涉及一种GaN基发光芯片外延层、发光芯片及其制作方法。该GaN基发光芯片外延层包括有源层，有源层包括沿生长方向依次生长的应变层、前量子阱垒层和量子阱垒层；应变层包括至少两个沿所述生长方向依次生长的第一量子阱垒，前量子阱垒层包括至少两个...
该专利属于重庆康佳光电技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆康佳光电技术研究院有限公司授权不得商用。

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