【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，具体地，涉及一种半导体结构及其制作方法、存储器。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dram，dynamic random access memory)的存储阵列架构是由包括一个晶体管和一个电容器的存储单元(即1t1c的存储单元)组成的阵列。晶体管的栅极与字线相连，漏极与位线相连，源极与电容器相连。
2、随着动态随机存取存储器的尺寸不断缩小，电容器的尺寸也随之缩小。如何保证动态随机存取存储器中电容器的性能，成为亟待解决的问题。
3、公开内容
4、有鉴于此，本公开实施例提出一种半导体结构及其制作方法、存储器。
5、根据本公开的一个方面，提供了一种半导体结构，包括：
6、多个第一有源柱，沿第一方向和第二方向呈阵列排布；所述第一方向和所述第二方向均与所述第一有源柱的延伸方向垂直，且所述第一方向和所述第二方向相交；
7、多个第一电极；每一所述第一电极覆盖一个所述第一有源柱的侧壁，所述第一电极位于间隔设置的第一凹槽中，每一所述第一凹槽环绕每一所述第一有源柱的
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【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管包括：
6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
7.一种存储器，其特征在于，包括：至少一个如权利要求1至6中任一项所述的半导体结构。
8.一种半...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管包括：
6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
7.一种存储器，其特征在于，包括：至少一个如权利要求1至6中任一项所述的半导体结构。
8.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
9.根据权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：肖德元，苏星松，邵光速，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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