【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储芯片，特别是涉及一种存储芯片的制备方法以及一种存储芯片。
技术介绍
1、对于存储芯片，其内部通常可以划分为用于实现存储功能的存储阵列区以及用于实现逻辑功能和其他功能的逻辑区。其中，对于部分存储芯片，其阵列区结构特征通常体现为在上下两层金属层之间放置/制备存储功能结构，如mram(magnetoresistive randomaccess memory、磁性随机存储器)，rram(resistive random access memory,阻变式存储器)。
2、对于该类存储芯片，由于存储功能结构及上下相连结构的存在，逻辑区顶部通孔一般深度较大，受制于顶部通孔金属填孔工艺能力，不仅逻辑区连线尺寸缩减变得困难，也限制了底部接触结构增高的可能性。
3、另一方面，存储功能结构及上下相连结构的存在，会导致阵列区与逻辑区的顶部通孔深度不可避免存在较大差距，若采用阵列区顶部通孔与逻辑区顶部通孔在一张光罩制程方案，将意味着顶部通孔刻蚀步骤会在阵列区与逻辑区同时进行，而导致负载效应较大，使得工艺控制难度增大，影响...
【技术保护点】
1.一种存储芯片的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在底电路层表面的阵列区以及逻辑区均设置底部电极材料，形成与所述底电路层中底部电路相接触的底部电极包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述逻辑区中凸起的尺寸大于所述逻辑区中底部电路的尺寸。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在底电路层表面的阵列区以及逻辑区均设置底部电极材料包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在底电路层表面的阵列区以及逻辑区均设置底部电极材料包括：
6.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种存储芯片的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在底电路层表面的阵列区以及逻辑区均设置底部电极材料，形成与所述底电路层中底部电路相接触的底部电极包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述逻辑区中凸起的尺寸大于所述逻辑区中底部电路的尺寸。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在底电路层表面的阵列区以及逻辑区均设置底部电极材料包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在底电路层表面的阵列区以及逻辑区均设置底部电极材料包括：
6.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：于志猛，王莎莎，何世坤，申力杰，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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