温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种存储芯片的制备方法及存储芯片，应用于存储芯片技术领域，通过先在底电路层表面的阵列区以及逻辑区同时设置底部电极材料，刻蚀出底部电极，而存储单元与逻辑通孔均落在底部电极表面，通过该底部电极可以有效减少在逻辑区与阵列区的高度差，即...
该专利属于浙江驰拓科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江驰拓科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。