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半导体结构及其制作方法、存储器技术
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文档序号:40004692
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本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法、存储器,其中,所述半导体结构包括:多个第一有源柱,沿第一方向和第二方向呈阵列排布;所述第一方向和所述第二方向均与所述第一有源柱的延伸方向垂直,且所述第一方向和所述第二方向相交;多个第一电极;每一...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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