System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 整流器制造技术_技高网

整流器制造技术

技术编号:40002881 阅读:14 留言:0更新日期:2024-01-09 04:09
本发明专利技术提供一种具有新的结构的整流器,该整流器(1A)包括:共漏源场效应型的第1晶体管(Tr1);和共漏源场效应型的第2晶体管(Tr2),其以使所述第1晶体管(Tr1)进行二极管动作的方式,二极管式连接于所述第1晶体管(Tr1),与所述第1晶体管(Tr1)一起构成整流段(R)。

【技术实现步骤摘要】

本申请主张基于2022年6月28日向日本国特许厅提出的专利申请2022-103295号的优先权,该申请的全部内容在此作为引用被引入。本专利技术涉及整流器


技术介绍

1、专利文献1中公开有共漏源场效应型的晶体管。专利文献2中公开有在栅极连接有二极管的具有源极或者漏极的mos晶体管。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:美国专利申请公开第2007/0145474号说明书。

5、专利文献2:美国专利申请公开第2011/0216566号说明书。


技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、一个实施方式提供一种具有新的结构的整流器。

3、用于解决问题的技术手段

4、一个实施方式提供一种整流器,其包括:共漏源场效应型的第1晶体管;和共漏源场效应型的第2晶体管,其以使所述第1晶体管进行二极管动作的方式,二极管式连接于所述第1晶体管,与所述第1晶体管一起构成整流段。

5、一个实施方式提供一种整流器,其包括p沟道的共漏源场效应型的晶体管,该晶体管具有:固定为零电位的栅极;作为整流段的阳极发挥功能的第1漏极源极;作为所述整流段的阴极发挥功能的第2漏极源极;和与所述第1漏极源极电连接的背栅极。

6、一个实施方式提供一种整流器,其包括n沟道的共漏源场效应型的晶体管,该晶体管具有:栅极;与所述栅极电连接的作为整流段的阳极发挥功能的第1漏极源极;作为所述整流段的阴极发挥功能的第2漏极源极;和固定为零电位的背栅极。

7、上述的或者进一步的其他目的、特征和效果通过参照附图说明的实施方式能够更加明确。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种整流器,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的整流器,其特征在于:

3.如权利要求1所述的整流器,其特征在于:

4.如权利要求3所述的整流器,其特征在于:

5.如权利要求1所述的整流器,其特征在于:

6.如权利要求5所述的整流器,其特征在于:

7.如权利要求1~6中任一项所述的整流器,其特征在于:

8.如权利要求7所述的整流器,其特征在于:

9.如权利要求8所述的整流器,其特征在于:

10.如权利要求8所述的整流器,其特征在于:

11.如权利要求1~6中任一项所述的整流器,其特征在于:

12.如权利要求11所述的整流器,其特征在于:

13.如权利要求12所述的整流器,其特征在于:

14.如权利要求12所述的整流器,其特征在于:

15.一种整流器,其特征在于:

16.如权利要求15所述的整流器,其特征在于:

17.如权利要求15或16所述的整流器,其特征在于:

18.一种整流器,其特征在于:

19.如权利要求18所述的整流器,其特征在于:

20.如权利要求18或19所述的整流器,其特征在于:

...

【技术特征摘要】

1.一种整流器,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的整流器,其特征在于:

3.如权利要求1所述的整流器,其特征在于:

4.如权利要求3所述的整流器,其特征在于:

5.如权利要求1所述的整流器,其特征在于:

6.如权利要求5所述的整流器,其特征在于:

7.如权利要求1~6中任一项所述的整流器,其特征在于:

8.如权利要求7所述的整流器,其特征在于:

9.如权利要求8所述的整流器,其特征在于:

10.如权利要求8所述的整流器,其特征在于:

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【专利技术属性】
技术研发人员:谷口聪纪那须贤太郎
申请(专利权)人:罗姆股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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