【技术实现步骤摘要】
本申请大体上涉及半导体制造技术，更具体地，涉及一种用于光刻的显影装置。
技术介绍
1、显影工艺是光刻的基本步骤，其在基板处理期间将光刻胶中的图案转移到晶圆表面。具体地，光刻胶的某些可溶区域可以被显影液溶解，在光刻胶下方的晶圆表面上留下光刻胶的岛或窗口图案。
2、有两种常见的显影方法，即连续喷雾显影和水坑显影。连续喷雾显影比水坑显影具有更好的显影速度，因为随着晶圆在显影装置内旋转，显影液的细雾可以均匀地沉积在晶圆上。然而，连续喷雾显影可能会产生严重的问题，即显影装置的喷嘴喷出的显影液雾或水可能会立即从晶圆表面反弹到显影装置的壳体上，导致化学液滴或水滴可能落到晶圆表面。
3、因此，需要一种用于光刻的改进显影装置。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种用于光刻的显影装置，能避免显影过程中不希望液滴落到显影装置中的晶圆上。
2、根据本申请的一个方面，提供了一种显影装置，该显影装置包括显影装置，所述显影装置包括壳体；晶圆支架，所述晶圆支架位于所述壳体内，用于支撑晶圆；半渗透隔膜，所述半渗透隔膜置于所述壳体内并将所述壳体分为上壳体和下壳体，所述上壳体限定上腔室，所述下壳体限定下腔室，其中，所述半渗透隔膜对蒸汽是半透的，允许蒸汽从所述下腔室移动到所述上腔室，但是禁止蒸汽形成的液滴从所述上腔室移动到所述下腔室；和喷嘴组件，所述喷嘴组件置于所述晶圆支架上方和并用于至少朝向所述晶圆支架喷洒显影液。
3、应当理解，前面的一般描述和下面的详细描述都只是示
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1.一种显影装置，所述显影装置包括：
2.根据权利要求1所述的显影装置，其特征在于，所述显影装置还包括：
3.根据权利要求2所述的显影装置，其特征在于，所述上壳体包括开口，所述半渗透隔膜包括与所述上壳体的开口相对应的开口，其中，所述显影装置还包括：
4.根据权利要求1所述的显影装置，其特征在于，所述半渗透隔膜包括聚乙烯、聚氨酯或聚丙烯，或它们的任意组合。
5.根据权利要求1所述的显影装置，其特征在于，所述半渗透隔膜呈圆顶状。
6.根据权利要求1所述的显影装置，其特征在于，所述半渗透隔膜包括边缘，所述半渗透隔膜沿着所述边缘附接至所述壳体，并且至少一个出口位于所述边缘，使得水能够通过所述至少一个出口从所述上腔室排出。
7.根据权利要求6所述的显影装置，其特征在于，所述至少一个出口在所述晶圆支架支撑晶圆时不在晶圆的上方。
8.一种基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置包括：
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置包括亲水涂层，所述亲水涂层置于所述上壳体的内表面
...【技术特征摘要】
1.一种显影装置，所述显影装置包括：
2.根据权利要求1所述的显影装置，其特征在于，所述显影装置还包括：
3.根据权利要求2所述的显影装置，其特征在于，所述上壳体包括开口，所述半渗透隔膜包括与所述上壳体的开口相对应的开口，其中，所述显影装置还包括：
4.根据权利要求1所述的显影装置，其特征在于，所述半渗透隔膜包括聚乙烯、聚氨酯或聚丙烯，或它们的任意组合。
5.根据权利要求1所述的显影装置，其特征在于，所述半渗透隔膜呈圆顶状。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：南基雄，郭真，李载承，崔泰奎，孙仁祜，朴相炫，姜永远，
申请(专利权)人：星科金朋私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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