【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种改善光阻减量导致涂布不均的方法。
技术介绍
1、光刻的图形形成主要步骤是涂胶，曝光和显影。每一步都很重要，缺一不可。
2、涂胶就是在晶圆表面均匀的涂上一层一定厚度的光刻胶，利用高速匀胶技术实现光刻胶厚度以及均匀性达到工艺要求。
3、典型光刻胶旋涂工艺，需要喷涂过量的胶，以保证在离心力的作用下将光刻胶涂覆至整个晶圆表面，一般只有20％～50％的光刻胶留在晶圆表面，其余80％～50％光刻胶被甩出晶圆造成浪费。
4、光刻胶减量实际就是提高晶圆表面的留胶率，如何用尽量少的胶在晶圆表面形成均匀且一定厚度的光刻胶，是光刻工艺努力方向，光刻胶单耗降低过大会形成晶圆边缘poor-coating(涂布不均)的现象。
5、为解决上述问题，需要提出一种新型的改善光阻减量导致涂布不均的方法。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善光阻减量导致涂布不均的方法，用于解决现有技术中光刻胶单耗降低过大会形成晶圆边缘涂布不均的现象的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种改善光阻减量导致涂布不均的方法，包括：
3、步骤一、在晶圆承载台上放置晶圆；
4、步骤二、利用喷嘴向所述晶圆中心表面喷涂光刻胶；
5、驱动所述晶圆承载台带动所述晶圆转动，转速为第一转速，使得所述光刻胶摊开至靠近所述晶圆的边缘处；
6、步骤三、利用喷
7、驱动所述晶圆承载台带动所述晶圆转动，转速为第二转速，所述第二转速大于所述第一转速，使得所述光刻胶覆盖在所述晶圆表面；
8、步骤四、利用喷嘴向偏离所述晶圆中心的表面喷涂光刻胶，转速为第三转速，所述第三转速低于所述第二转速，使得所述光刻胶的厚度均匀性为目标值。
9、优选地，步骤一中的所述晶圆的尺寸为12英寸。
10、优选地，步骤二中的所述第一转速为50-500rpm。
11、优选地，步骤三中的所述第二转速为2000-3000rpm。
12、优选地，步骤四中的所述第三转速为50-500rpm。
13、优选地，步骤二至四中的所述喷嘴与所述晶圆的表面呈90度设置。
14、优选地，步骤四中利用喷嘴向偏离所述晶圆中心1-10mm的表面喷涂光刻胶。
15、如上所述，本专利技术的改善光阻减量导致涂布不均的方法，具有以下有益效果：
16、本专利技术通过高低速交替喷胶达到低胶量均匀覆盖晶圆的目的，从而避免了单耗过低造成晶圆边缘涂布不均的现象，在光刻胶减量的同时保证了产品的质量。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种改善光阻减量导致涂布不均的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的改善光阻减量导致涂布不均的方法，其特征在于：步骤一中的所述晶圆的尺寸为12英寸。
3.根据权利要求2所述的改善光阻减量导致涂布不均的方法，其特征在于：步骤二中的所述第一转速为50-500rpm。
4.根据权利要求3所述的改善光阻减量导致涂布不均的方法，其特征在于：步骤三中的所述第二转速为2000-3000rpm。
5.根据权利要求4所述的改善光阻减量导致涂布不均的方法，其特征在于：步骤四中的所述第三转速为50-500rpm。
6.根据权利要求1所述的改善光阻减量导致涂布不均的方法，其特征在于：步骤二至四中的所述喷嘴与所述晶圆的表面呈90度设置。
7.根据权利要求1所述的改善光阻减量导致涂布不均的方法，其特征在于：步骤四中利用喷嘴向偏离所述晶圆中心1-10mm的表面喷涂光刻胶。
【技术特征摘要】
1.一种改善光阻减量导致涂布不均的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的改善光阻减量导致涂布不均的方法，其特征在于：步骤一中的所述晶圆的尺寸为12英寸。
3.根据权利要求2所述的改善光阻减量导致涂布不均的方法，其特征在于：步骤二中的所述第一转速为50-500rpm。
4.根据权利要求3所述的改善光阻减量导致涂布不均的方法，其特征在于：步骤三中的所述第二转速为2000-...
【专利技术属性】
技术研发人员：高新华，朱联合，刘希仕，王绪根，金乐群，姚振海，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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