【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及焊片领域，尤其涉及一种封装焊片及其制备方法。
技术介绍
1、随着电子产业的迅猛发展，电子产业不断向小型化，高集成度和高性能化的方向前进，与之伴随而来的是不断攀升的器件功率密度，导致了器件要遭受极高的电流密度和极大的热能释放，从而要求电子器件中互联焊点所能承受的工作温度随之升高。根据传统软钎焊互联要求，焊料熔点必须高于焊点的服役温度，服役温度越高，就需要选择更高熔点的焊料，也就需要提高焊接温度，但是过高的焊接温度不仅会损伤电子器件，更易带来联接的不可靠性。
2、以sic、gan为代表的第三代半导体高功率器件相较于传统的si功率器件具有大禁带宽度、高饱和电子漂移速率、大临界击穿强度、以及高热传导率等优异性能，且第三代半导体的可承受服役温度在300℃以上，支持的功率密度远高于第一代si半导体。这必然使其得到迅速发展和广泛应用。也必将成为半导体功率器件的主流。然而，这对微电子封装技术以及互连材料提出新的挑战。开发出能够在高熔点环境中稳定服役的互连材料是目前电子封装领域的关键问题之一。
3、目前能用来解决电子...
【技术保护点】
1.一种封装焊片，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的封装焊片，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的封装焊片，其特征在于：
4.根据权利要求2或3所述的封装焊片，其特征在于：
5.根据权利要求1或2所述的封装焊片，其特征在于：
6.根据权利要求2所述的封装焊片，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的封装焊片，其特征在于：
8.根据权利要求7所述的封装焊片，其特征在于：
9.根据权利要求1所述的封装焊片，其特征在于：
10.一种用于权利要求1所述的封装焊片的制...
【技术特征摘要】
1.一种封装焊片，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的封装焊片，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的封装焊片，其特征在于：
4.根据权利要求2或3所述的封装焊片，其特征在于：
5.根据权利要求1或2所述的封装焊片，其特征在于：
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：熊杰然，邹建，徐明聪，林逸敏，
申请(专利权)人：汕尾市栢林电子封装材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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