【技术实现步骤摘要】
本申请涉及数据读取领域，具体涉及一种存储装置的数据读取方法及相关装置。
技术介绍
1、nand flash是一种非易失性存储介质，广泛应用于sd(sd存储卡)，emmc，ufs，ssd(固态硬盘)等存储产品。存储装置中在读取nand flash数据时，通常情况下使用默认读取电压便能正确读出，但存储装置随着磨损度(p/e)的增加，读取时的温度变化等，默认读取电压便会存在不能正确读取数据的情况。
2、当默认读取电压不能正确读取数据时，通常的解决方案为通过重读电压表中的电压来进行读取，该重读电压表可以是存储装置在出厂时预先设定的电压表，具体读取时，可以是按照一定顺序在重读电压表中提取电压进行读取，直至提取的电压能够正确读取数据为止，通过上述方法在进行数据读取时，若能够正确读取数据的电压在重读电压表中按照顺序提取时较为靠后的序列位置时，则此时将会产生大量不能正确读取数据的电压来进行数据读取，使得进行数据读取时的效率较低。
技术实现思路
1、本申请实施例的一个目的旨在提供一种存储装置的数据读取方法，旨在改善现有存储装置在读取待读取数据时需要使用原始重读表中的重读电压来依次尝试读取数据，可能存在采用大量无效的数据读取电压的情况，从而导致读取数据的效率低下。
2、在第一方面，本申请实施例提供一种存储装置的数据读取方法，包括：
3、获取存储装置在写入待读取数据时存储介质的写入温度以及磨损度p/e值；
4、获取所述存储装置的在读取所述待读取数据时的第一
5、根据所述第一温度、所述写入温度和所述磨损度p/e值，确定所述存储装置的目标重读电压表；
6、根据所述存储装置的当前存储介质状态信息从所述目标重读电压表中确定出第一目标重读电压；
7、根据所述第一目标重读电压对所述待读取数据进行读取。
8、在一个可能的实现方式中，所述获取存储装置在写入待读取数据时存储介质的写入温度以及磨损度p/e值，包括：
9、通过所述存储装置中的温度传感器获取所述存储装置在写入所述待读取数据时所述存储介质的写入温度；
10、获取所述存储装置在写入所述待读取数据时的硬盘检测模块信息；
11、根据所述硬盘检测模块信息确定所述存储介质的磨损度p/e值。
12、在一个可能的实现方式中，所述获取所述存储装置的在读取所述待读取数据时的第一温度，包括：
13、通过在存储介质中的温度传感器获取所述存储装置在写入待读取数据时存储介质的当前温度；
14、将所述当前温度确定为存储装置的在读取所述待读取数据时的第一温度。
15、在一个可能的实现方式中，所述根据所述第一温度、所述写入温度和所述磨损度p/e值，确定所述存储装置的目标重读电压表，包括：
16、获取所述存储装置对应的原始重读电压表；
17、根据所述第一温度、所述写入温度和所述磨损度p/e值对所述原始重读电压表进行调整，得到所述目标重读电压表。
18、在一个可能的实现方式中，所述根据所述第一温度、所述写入温度和所述磨损度p/e值对所述原始重读电压表进行调整，得到目标重读电压表，包括：
19、根据所述第一温度、所述写入温度和所述磨损度p/e值确定出与当前存储介质状态信息对应的阈值电压；
20、确定出所述原始重读电压表中大于或等于所述阈值电压的原始重读电压，以得到第一重读电压集合，以及确定出所述原始重读电压表中小于所述阈值电压的原始重读电压，以得到第二重读电压集合；
21、将所述原始重读电压表中所述第二重读电压集合中的重读电压替换为所述第一重读电压集合中的重读电压，以得到所述目标重读电压表。
22、在一个可能的实现方式中，所述根据获得的所述第一温度、所述写入温度和所述磨损度p/e值对获得的原始重读电压表进行调整，得到目标重读电压表的方法，包括；
23、获取原始重读电压表中与所述当前存储介质状态信息匹配的重读电压，以得到第一重读电压集合；
24、获取所述原始重读电压表中的第一读取区域和第二读取区域，所述第一读取区域的读取优先级高于所述第二读取区域；
25、将所述第一重读电压集合中的重读电压置于所述第一读取区域，将所述第一读取区域内的第二重读电压置于所述原始读取电压表中与所述第一重读电压集合中的重读电压对应的位置，以得到所述目标重读电压表。
26、在一个可能的实现方式中，所述根据所述存储装置的当前存储介质状态信息从所述目标重读电压表中确定出第一目标重读电压，包括：
27、确定与所述存储装置在当前存储介质状态信息匹配的第三重读电压；
28、将所述目标重读电压表中与所述第三重读电压匹配度最高的重读电压确定为所述第一目标重读电压。
29、在一个可能的实现方式中，所述的方法还包括：
30、若根据所述第一目标重读电压无法正确的读取所述待读取数据，则获取所述存储装置的多个历史读取电压；
31、获取所述多个历史读取电压中最近一次读取数据时的读取电压，以得到目标历史重读电压；
32、确定与所述目标历史重读电压对应的目标历史磨损度p/e值；
33、根据所述多个历史重读电压、所述目标历史磨损度p/e值和所述存储装置读取所述待读取数据时的当前磨损度p/e值，对所述第一目标重读电压进行调整，以得到第二目标重读电压；
34、根据所述第二目标重读电压对所述待读取数据进行读取。
35、在第二方面，本申请实施例提供一种计算机可读存储介质，包括：
36、所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，所述程序指令当被处理器执行时使所述处理器执行第一方面中任一项所述存储装置的数据读取方法。
37、在第三方面，本申请实施例提供一种芯片，包括：
38、至少一个处理器；以及，
39、与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
40、所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行第一方面中任一项所述的存储装置的数据读取方法。
41、在第四方面，本申请实施例提供一种电子设备，包括：
42、至少一个处理器；以及，
43、与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
44、所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行第一方面中任一项所述存储装置的数据读取方法。
45、通过获取存储装置在写入待读取数据时存储介质的写入温度以及磨损度p/e值，获取所述存储装置的在读取所述待读取数据时的第一温度，根据所述第一温度、所述写入温度和所述磨损度p/e值，确定所述存储装置的目标重读电压表，根据所述存储装本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种存储装置的数据读取方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取存储装置在写入待读取数据时存储介质的写入温度以及磨损度P/E值，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取所述存储装置的在读取所述待读取数据时的第一温度，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一温度、所述写入温度和所述磨损度P/E值，确定所述存储装置的目标重读电压表，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一温度、所述写入温度和所述磨损度P/E值对所述原始重读电压表进行调整，得到目标重读电压表，包括：
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据获得的所述第一温度、所述写入温度和所述磨损度P/E值对获得的原始重读电压表进行调整，得到目标重读电压表的方法，包括；
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述存储装置的当前存储介质状态信息从所述目标重读电压表中确定出第一目标重读电压，包括：
8.根据权利要求7所述
9.一种芯片，其特征在于，包括：
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，包括：
11.一种电子设备，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种存储装置的数据读取方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取存储装置在写入待读取数据时存储介质的写入温度以及磨损度p/e值，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取所述存储装置的在读取所述待读取数据时的第一温度，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一温度、所述写入温度和所述磨损度p/e值，确定所述存储装置的目标重读电压表，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一温度、所述写入温度和所述磨损度p/e值对所述原始重读电压表进行...
【专利技术属性】
技术研发人员：马运杨，陈运松，林楷勋，
申请(专利权)人：深圳星火半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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