本发明专利技术涉及一种存储寿命预警方法及装置，包括：获取单层次存储单元的编程/擦除循环次数；获取三层存储单元的编程/擦除循环次数；判断所述单层次存储单元的编程/擦除循环次数是否达到单层标称阈值；若是，则进行寿命预警；若否，则判断所述三层存储单元的编程/擦除循环次数是否达到三层标称阈值；若是，则进行寿命预警。上述存储寿命预警方法及装置对单层次存储单元和三层存储单元的使用寿命进行评估，在单层次存储单元的编程/擦除循环次数达到单层标称阈值和在三层存储单元的编程/擦除循环次数达到三层标称阈值时都进行寿命预警，提示使用者更换闪存存储设备，从而避免闪存存储设备使用寿命达到寿命上限导致数据丢失。使用寿命达到寿命上限导致数据丢失。使用寿命达到寿命上限导致数据丢失。
【技术实现步骤摘要】
存储寿命预警方法及装置
[0001]本专利技术涉及数据存储
，特别是涉及一种存储寿命预警方法及存储寿命预警装置。
技术介绍
[0002]标准尺寸安全存储卡(Standard Size SD，也称secure digital memory card，SD)以及微型数字安全存储卡(microSD Card，也称Trans-flash Card，TF)，均为SDA协会制定的行业规范，由于具有体积小、数据传输速度快、可热插拔等优良的特性，广泛使用于手机、相机、行车记录仪等电子设备上。
[0003]SD、TF卡中使用的存储介质为快闪存储器(Nand Flash)，它是一种电子式可擦除可编程的非易逝性存储器，允许在操作中被多次擦除。根据闪存基本存储单元(CELL)中储存电子单元密度可分为：SLC(单层次存储单元)、MLC(双层存储单元)、TLC(三层存储单元)和QLC(四层存储单元)，从SLC到QLC，成本降低、容量增大但是速度变慢、寿命降低。并且随着擦除次数的增多，存储速度以及可靠性都会下降。
[0004]闪存芯片有寿命限制，其寿命即它的P/E Cycle(Program/Erase Cycle，编程和擦除循环)次数。当闪存芯片的编程/擦除循环次数超过它的标称寿命上限，将可能导致闪存的存储单元产生缺陷并最终失效，失去存储电荷的能力，闪存芯片的可靠性和性能不再得到保障。由于闪存存储设备自身不带有寿命显示功能，用户不能及时的获取闪存存储设备的健康状态并更换闪存设备，从而导致数据丢失的严重问题。
专利技术内容
[0005]基于此，有必要针对传统技术中用户不能及时获取闪存存储设备的健康状态并在闪存存储设备的编程/擦除循环次数超过它的标称寿命上限后更换闪存设备，从而导致数据丢失的问题，提供一种存储寿命预警方法及存储寿命预警装置。
[0006]一种存储寿命预警方法，包括：
[0007]获取单层次存储单元的编程/擦除循环次数；
[0008]获取三层存储单元的编程/擦除循环次数；
[0009]判断所述单层次存储单元的编程/擦除循环次数是否达到单层标称阈值；
[0010]若是，则进行寿命预警；
[0011]若否，则判断所述三层存储单元的编程/擦除循环次数是否达到三层标称阈值；
[0012]若是，则进行寿命预警。
[0013]在其中一个实施例中，所述获取单层次存储单元的编程/擦除循环次数，包括：
[0014]每次对所述单层次存储单元中的块进行擦除操作时，对该块的编程/擦除循环次数进行加一计数；
[0015]根据所述单层次存储单元中所有块的编程/擦除循环次数和所述单层次存储单元中块的数量得到所述单层次存储单元中所有块的编程/擦除循环次数的平均值以作为所述
单层次存储单元的编程/擦除循环次数。
[0016]在其中一个实施例中，所述获取三层存储单元的编程/擦除循环次数，包括：
[0017]每次对所述三层存储单元中的块进行擦除操作时，对该块的编程/擦除循环次数进行加一计数；
[0018]根据所述三层存储单元中所有块的编程/擦除循环次数和所述三层存储单元中块的数量得到所述三层存储单元中所有块的编程/擦除循环次数的平均值以作为所述三层存储单元的编程/擦除循环次数。
[0019]在其中一个实施例中，所述进行寿命预警包括点亮LED灯以进行寿命预警。
[0020]在其中一个实施例中，所述获取单层次存储单元的编程/擦除循环次数之前，还包括：
[0021]对闪存存储设备进行初始化。
[0022]一种存储寿命预警装置，包括：
[0023]单层获取模块，用于获取单层次存储单元的编程/擦除循环次数；
[0024]三层获取模块，用于获取三层存储单元的编程/擦除循环次数；
[0025]单层判断模块，用于判断所述单层次存储单元的编程/擦除循环次数是否达到第一标称阈值；
[0026]报警模块，用于在所述单层次存储单元的编程/擦除循环次数达到所述单层标称阈值时，进行寿命预警；
[0027]三层判断模块，用于在所述单层次存储单元的编程/擦除循环次数未达到所述三层标称阈值时，判断所述三层存储单元的编程/擦除循环次数是否达到三层标称阈值；所述报警模块还用于在所述三层存储单元的编程/擦除循环次数达到所述三层标称阈值时，进行寿命预警。
[0028]在其中一个实施例中，所述单层获取模块包括：
[0029]单层计数模块，用于每次对所述单层次存储单元中的块进行擦除操作时，对该块的编程/擦除循环次数进行加一计数；
[0030]单层计算模块，用于根据所述单层次存储单元中所有块的编程/擦除循环次数和所述单层次存储单元中块的数量得到所述单层次存储单元中所有块的编程/擦除循环次数的平均值以作为所述单层次存储单元的编程/擦除循环次数。
[0031]在其中一个实施例中，所述三层获取模块包括：
[0032]三层计数模块，用于每次对所述三层存储单元中的块进行擦除操作时，对该块的编程/擦除循环次数进行加一计数；
[0033]三层计算模块，用于根据所述三层存储单元中所有块的编程/擦除循环次数和所述三层存储单元中块的数量得到所述三层存储单元中所有块的编程/擦除循环次数的平均值以作为所述三层存储单元的编程/擦除循环次数。
[0034]在其中一个实施例中，还包括LED，所述报警模块进行寿命预警时向所述LED输出控制信号以点亮所述LED。
[0035]在其中一个实施例中，还包括初始化模块，用于对所述存储寿命预警装置进行初始化。
[0036]上述存储寿命预警方法及存储寿命预警装置对单层次存储单元和三层存储单元
的使用寿命分别进行评估，在单层次存储单元的编程/擦除循环次数达到单层标称阈值和在三层存储单元的编程/擦除循环次数达到三层标称阈值时都进行寿命预警，提示使用者更换闪存存储设备，从而避免闪存存储设备使用寿命达到寿命上限导致数据丢失。
附图说明
[0037]图1为一实施例中的存储寿命预警方法的流程图。
[0038]图2为另一实施例中的存储寿命预警方法的流程图。
[0039]图3为一实施例中的存储寿命预警装置的结构框图。
[0040]附图标记说明：
[0041]300、存储寿命预警装置；310、单层获取模块；320、三层获取模块；330、单层判断模块；340、报警模块；350、三层判断模块。
具体实施方式
[0042]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0043]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”以及“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储寿命预警方法，其特征在于，包括：获取单层次存储单元的编程/擦除循环次数；获取三层存储单元的编程/擦除循环次数；判断所述单层次存储单元的编程/擦除循环次数是否达到单层标称阈值；若是，则进行寿命预警；若否，则判断所述三层存储单元的编程/擦除循环次数是否达到三层标称阈值；若是，则进行寿命预警。2.根据权利要求1所述的存储寿命预警方法，其特征在于，所述获取单层次存储单元的编程/擦除循环次数，包括：每次对所述单层次存储单元中的块进行擦除操作时，对该块的编程/擦除循环次数进行加一计数；根据所述单层次存储单元中所有块的编程/擦除循环次数和所述单层次存储单元中块的数量得到所述单层次存储单元中所有块的编程/擦除循环次数的平均值以作为所述单层次存储单元的编程/擦除循环次数。3.根据权利要求1所述的存储寿命预警方法，其特征在于，所述获取三层存储单元的编程/擦除循环次数，包括：每次对所述三层存储单元中的块进行擦除操作时，对该块的编程/擦除循环次数进行加一计数；根据所述三层存储单元中所有块的编程/擦除循环次数和所述三层存储单元中块的数量得到所述三层存储单元中所有块的编程/擦除循环次数的平均值以作为所述三层存储单元的编程/擦除循环次数。4.根据权利要求1所述的存储寿命预警方法，其特征在于，所述进行寿命预警包括点亮LED灯以进行寿命预警。5.根据权利要求1所述的存储寿命预警方法，其特征在于，所述获取单层次存储单元的编程/擦除循环次数之前，还包括：对闪存存储设备进行初始化。6.一种存储寿命预警装置，其特征在于，包括：单层获取模块，用于获取单层次存储单元的编程/擦除循环次数；三层获取模块，用于获取三层存储单元的编程/擦除循环次数；单层判...
【专利技术属性】
技术研发人员：本條嵩騎，纪亮，
申请(专利权)人：深圳星火半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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