温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本申请涉及数据读取领域,公开一种存储装置的数据读取方法及相关装置,其中,该方法包括:获取存储装置在写入待读取数据时存储介质的写入温度以及磨损度P/E值;获取所述存储装置的在读取所述待读取数据时的第一温度;根据所述第一温度、所述写入温度和所述...该专利属于深圳星火半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳星火半导体科技有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本申请涉及数据读取领域,公开一种存储装置的数据读取方法及相关装置,其中,该方法包括:获取存储装置在写入待读取数据时存储介质的写入温度以及磨损度P/E值;获取所述存储装置的在读取所述待读取数据时的第一温度;根据所述第一温度、所述写入温度和所述...