具有反射镜结构的微米尺寸正装LED器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了具有反射镜结构的微米尺寸正装LED器件及其制备方法。所述器件基于GaN基外延层制备而成，从下到上依次设置有衬底、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层，在P型GaN层上表面沉积p电极。在刻蚀暴露出的N型GaN层表面，填充有曲面状的封装胶，曲面的内壁上沉积有金属反射层，封装胶与金属反射层构成反射镜结构；并在金属反射层和台面侧壁之间沉积有钝化层。本发明专利技术通过金属反射镜能够降低相邻Micro‑LED芯片相互之间的光学串扰，利用金属反射镜与绝缘介质层构成侧壁场板，耗尽P型GaN层边缘的载流子，降低器件边缘的空穴浓度。从而减弱器件边缘部分的SRH复合，提高器件的外量子效率(EQE)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示用micro-led器件，具体涉及一种微型半导体发光二极管(micro-led)及其制备方法。

技术介绍

1、随着信息化时代的发展，显示技术已经成为实现信息交互的关键环节。micro-led以其自发光、高集成度、高效率、高稳定性和低功耗的优势，成为目前众多公司和研究者们的关注热点。相比较液晶显示(liquid crystal display，lcd)和有机发光二极管(organiclight-emitting diode，oled)，micro-led能够具有更加明显的显示优势。

2、当led芯片尺寸减小至微米级时，其比表面积(侧壁面积/体积)的比值会逐渐增加，侧壁出光量占据了总出光亮的大部分，不可忽略，由于芯片间距缩小，侧壁出光会串扰到相邻芯片，影响芯片的对比度、色纯度、饱和度等。且在芯片制备的过程中，刻蚀工艺会对芯片侧壁造成损伤，使得micro-led面临着更加严重的表面缺陷问题。最终降低了器件的外量子效率(eqe)。因此如何降低相邻像素之间的串扰、提高芯片的外量子效率，是当前的技术难点。

3、苏州大学的杨帆等本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.具有反射镜结构的微米尺寸正装LED器件，其特征在于，包括外延结构、金属反射层(9)、曲面形状的封装胶(8)；

2.根据权利要求1所述的具有反射镜结构的微米尺寸正装LED器件，其特征在于，所述金属反射层(9)由Cr、Al、Ti、Au四层金属构成。

3.根据权利要求1所述的具有反射镜结构的微米尺寸正装LED器件，其特征在于，所述金属反射层(9)与所述台状结构的侧壁上所沉积的钝化层(5)构成了侧壁场板结构，侧壁场板结构用于耗尽P型GaN层(4)边缘的载流子，降低器件边缘的空穴浓度。

4.制备权利要求1所述具有反射镜结构的微米尺寸正装LED器件的方法，其特...

【技术特征摘要】

1.具有反射镜结构的微米尺寸正装led器件，其特征在于，包括外延结构、金属反射层(9)、曲面形状的封装胶(8)；

2.根据权利要求1所述的具有反射镜结构的微米尺寸正装led器件，其特征在于，所述金属反射层(9)由cr、al、ti、au四层金属构成。

3.根据权利要求1所述的具有反射镜结构的微米尺寸正装led器件，其特征在于，所述金属反射层(9)与所述台状结构的侧壁上所沉积的钝化层(5)构成了侧壁场板结构，侧壁场板结构用于耗尽p型gan层(4)边缘的载流子，降低器件边缘的空穴浓度。

4.制备权利要求1所述具有反射镜结构的微米尺寸正装led器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的制备权利要求1所述具有反射镜结构的微米尺寸正装led器件的方法，其特征在于，步骤s1中，利用icp刻蚀技术时，调节icp刻蚀功率为180～365w，rf功率为250～500w，进行刻蚀6min～7min50s。

6.根据权利要求4所述的制备权利要求1所述具有反射镜结构的微米尺寸正装led器件的方法，其特征在于，步骤s1中，刻蚀形成的台面状的第二n型gan层(22)、多量子阱(mqws)层(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：王洪，耿魁伟，徐香琴，
申请(专利权)人：中山市华南理工大学现代产业技术研究院，
类型：发明
国别省市：