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本发明公开了具有反射镜结构的微米尺寸正装LED器件及其制备方法。所述器件基于GaN基外延层制备而成，从下到上依次设置有衬底、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层，在P型GaN层上表面沉积p电极。在刻蚀暴露出的N型GaN层表面，填充有曲面状...
该专利属于中山市华南理工大学现代产业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中山市华南理工大学现代产业技术研究院授权不得商用。

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