【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、基于半导体的电容器可以提多种好处,例如温度稳定性、总体上较高的击穿电压和较低的泄漏电流。因此,基于半导体的电容器可以适合于在各种各样的应用(尤其是在承受大量机械应力和/或环境应力时期望或需要具有可靠性的那些应用)中使用。然而,现有的基于半导体的电容器通常是表面安装的,并且该电容器在被安装到衬底(例如印刷电路板)时会占据稀缺的表面积。
2、小型化是众多最新的电子设备所面临的关键设计问题之一。电子设备设计者面临的挑战是使用印刷电路板(printed circuit board,pcb)的每一平方毫米。直到最近,pcb都只有一侧可以用电子部件填充,然后随着技术的改进,pcb的两侧都可以被使用了。在pcb中嵌入电子部件是小型化发展的下一个合乎逻辑的步骤和方向。
3、然而,现有的基于半导体的电容器通常是“倒装芯片(flip-chip)”安装的,并且在芯片的单个表面上具有两个端子。由于各端子通常是共面的,因此“倒装芯片”安装的电容器可以在电子部件中占据增大的表面积,因此这两个端子在长度方向和宽度方向上都占据空
...【技术保护点】
1.一种可嵌入电容器,包括:
2.根据权利要求1所述的电容器,其中,多个所述上端子和所述下端子包括铜、金或铝中的至少一者。
3.根据权利要求1所述的电容器,其中,多个所述上端子各自包括至少约1微米的厚度。
4.根据权利要求1所述的电容器,其中,所述下端子包括多个不同的共面下端子。
5.根据权利要求4所述的电容器,其中,多个所述下端子相对于所述第一方向和所述第二方向与多个所述上端子对齐。
6.根据权利要求1所述的电容器,其中,所述中间层包括所述氧化层和所述绝缘层两者,其中,所述绝缘层形成在所述氧化层上。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种可嵌入电容器,包括:
2.根据权利要求1所述的电容器,其中,多个所述上端子和所述下端子包括铜、金或铝中的至少一者。
3.根据权利要求1所述的电容器,其中,多个所述上端子各自包括至少约1微米的厚度。
4.根据权利要求1所述的电容器,其中,所述下端子包括多个不同的共面下端子。
5.根据权利要求4所述的电容器,其中,多个所述下端子相对于所述第一方向和所述第二方向与多个所述上端子对齐。
6.根据权利要求1所述的电容器,其中,所述中间层包括所述氧化层和所述绝缘层两者,其中,所述绝缘层形成在所述氧化层上。
7.根据权利要求6所述的电容器,其中,所述绝缘层包括氮化硅。
8.根据权利要求1所述的电容器,还包括:上保护层,所述上保护层形成在所述导电层上;以及下保护层,所述下保护层形成在所述衬底的底表面上。
9.根据权利要求8所述的电容器,其中,多个所述上端子中的每个上端子在正交于所述衬底的顶表面的竖直方向上延伸穿过所述上保护层。
10.根据权利要求1所述的电容器,其中,...
【专利技术属性】
技术研发人员:科里·内尔森,杰夫·博格曼,
申请(专利权)人:京瓷AVX元器件公司,
类型:发明
国别省市:
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