【技术实现步骤摘要】
本申请涉及太阳能电池，特别是涉及太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
1、隧穿氧化层钝化接触(topcon)电池，因其隧穿层独特的隧穿特性能够显著降低电子与空穴的复合，大大增加电池的开压与电流密度，尤其双面poly结构的topcon电池其极限效率28.5％左右，最接近于硅的极限效率29％。目前，已有大量技术优化topcon电池工艺技术。
2、然而，topcon电池的正面电极一般采用银浆或银铝浆。而双面poly电池，其正面为p+掺杂层，由于p+掺杂层的表面浓度较低，p+掺杂层较难与用于形成正面电极的银浆形成良好的接触电阻，从而影响电池的电性能。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对双面poly电池中p+掺杂层很难与正面电极形成良好的接触电阻的问题，提供一种太阳能电池及其制备方法。
2、一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：
3、硅基底，其中一侧为正面，另一侧为背面；
4、p+掺杂层，设置在所述硅基底的正面；
5、n+掺杂层，设置在所述硅基底的背面；
6、正面电极，设置在所述p+掺杂层远离所述硅基底的一侧；
7、背面电极，设置在所述n+掺杂层远离所述硅基底的一侧；
8、连接层，设置在所述正面电极与所述p+掺杂层之间，所述连接层包括n+掺杂连接层和隧穿氧化连接层，所述隧穿氧化连接层设置在所述n+掺杂连接层靠近所述p+掺杂层的一侧，所述正面电极与所述n+掺杂连接层连接。
9、在其中一个实
10、在其中一个实施例中，所述n+掺杂连接层为n-poly、n poly-siox层或者npoly-sicx层。
11、在其中一个实施例中，所述隧穿氧化连接层为sio2层或sinx+sio2层。
12、在其中一个实施例中，所述隧穿氧化连接层的厚度为1nm-3nm。
13、在其中一个实施例中，所述硅基底与p+掺杂层之间，以及所述硅基底与n+掺杂层之间分别设置有隧穿氧化层。
14、在其中一个实施例中，所述太阳能电池还包括第一正面钝化层和第二正面钝化层，所述p+掺杂层远离硅基底的表面设置有第一正面钝化层，所述第一正面钝化层上开设有通孔，所述连接层的一端伸入至所述通孔内与所述p+掺杂层连接，所述第二正面钝化层设置在所述连接层的另一端，所述正面电极烧穿所述第二正面钝化层与所述n+掺杂连接层连接。
15、在其中一个实施例中，所述第一正面钝化层和所述第二正面钝化层的材料相同，所述第一正面钝化层包括sinx+sio2。
16、在其中一个实施例中，所述太阳能电池还包括背面钝化层，所述背面钝化层设置在所述n+掺杂层远离所述硅基底的一侧，所述背面钝化层包括sinx。
17、在其中一个实施例中，所述太阳能电池还包括tco层，所述tco层设置在所述p+掺杂层与连接层之间。
18、一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，用于制备太阳能电池，所述硅基底与p+掺杂层之间，以及所述硅基底与n+掺杂层之间分别设置有隧穿氧化层，所述太阳能电池的制备方法包括步骤：
19、在硅基底的正面制备隧穿氧化层；
20、在硅基底的正面制备p+掺杂层；
21、在硅基底的正面制备隧穿氧化连接层，同时在硅基底的背面制备隧穿氧化层，其中，隧穿氧化层与隧穿氧化连接层结构材料相同；
22、在硅基底的正面制备n+掺杂连接层，同时在硅基底的背面制备n+掺杂层，其中，n+掺杂层和n+掺杂连接层材料相同；
23、保护硅基底正面的连接层区域，去除硅基底正面连接层区域以外的n+掺杂连接层和隧穿氧化连接层；
24、分别在硅基底的正面和背面印刷银浆，烧结后形成正面电极和背面电极。
25、在其中一个实施例中，所述保护硅基底10正面的连接层70区域的具体方法为：通过涂光刻胶并曝光开膜的方法保护硅基底正面的连接层区域。
26、上述太阳能电池及其制备方法，在正面电极与p+掺杂层之间设置连接层，连接层包括n+掺杂连接层和隧穿氧化连接层。采用n+掺杂连接层与用于形成正面电极的银浆接触，n+掺杂连接层的表面浓度远高于p+掺杂层，因此n+掺杂连接层极易与正面电极形成良好的接触，从而使得两者之间保持较小的接触电阻，即最大程度上保证了太阳能电池的电性能。同时，在p+掺杂层与n+掺杂连接层的交界面之间附加一层隧穿氧化连接层，通过隧穿氧化连接层的隧穿能力，一定程度上能够降低p+掺杂层与n+掺杂连接层之间的pn复合，从而在正面电极具有良好接触的基础上进一步保证电池的性能。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述连接层(70)沿第一方向的长度小于所述p+掺杂层(30)沿第一方向的长度，大于等于所述正面电极(51)沿第一方向的长度。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述n+掺杂连接层(71)为n-poly层、n poly-SiOX层或者n poly-SiCX层。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化连接层(72)为SiO2层或SiNx+SiO2层。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化连接层(72)的厚度为1nm-3nm。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述硅基底(10)与p+掺杂层(30)之间、所述硅基底(10)与n+掺杂层(40)之间分别设置有隧穿氧化层(20)。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括第一正面钝化层(81)和第二正面钝化层(82)，所述p+掺杂层(30)远离硅基底(10)的表面设置有
8.根据权利要求7所述的太阳能电池，所述第一正面钝化层(81)和所述第二正面钝化层(82)的材料相同，所述第一正面钝化层(81)包括SiNx+SiO2。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括背面钝化层(90)，所述背面钝化层(90)设置在所述n+掺杂层(40)远离所述硅基底(10)的一侧，所述背面钝化层(90)包括SiNx。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括TCO层(60)，所述TCO层(60)设置在所述p+掺杂层(30)与连接层(70)之间。
11.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1-10中任一项所述的太阳能电池，所述硅基底(10)与p+掺杂层(30)之间、所述硅基底(10)与n+掺杂层(40)之间分别设置有隧穿氧化层(20)，所述太阳能电池的制备方法包括步骤：
12.根据权利要求11所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述保护硅基底(10)正面的连接层(70)区域的具体方法为：通过涂光刻胶并曝光开膜的方法保护硅基底(10)正面的连接层(70)区域。
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述连接层(70)沿第一方向的长度小于所述p+掺杂层(30)沿第一方向的长度，大于等于所述正面电极(51)沿第一方向的长度。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述n+掺杂连接层(71)为n-poly层、n poly-siox层或者n poly-sicx层。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化连接层(72)为sio2层或sinx+sio2层。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化连接层(72)的厚度为1nm-3nm。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述硅基底(10)与p+掺杂层(30)之间、所述硅基底(10)与n+掺杂层(40)之间分别设置有隧穿氧化层(20)。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括第一正面钝化层(81)和第二正面钝化层(82)，所述p+掺杂层(30)远离硅基底(10)的表面设置有第一正面钝化层(81)，所述第一正面钝化层(81)上开设有通孔，所述连接层(70)的一端伸入至所述通孔内与所述p+掺杂层(30)连接，所述第二正面钝化层(...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩秉伦，陈达明，杨广涛，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。