稳定电压生成电路以及半导体装置制造方法及图纸

技术编号：39997029 阅读：4 留言：0更新日期：2024-01-09 02:52

本发明专利技术提供一种能够在较宽的温度范围内生成高精度的输出电压的稳定电压生成电路。稳定电压生成电路(10)包括：第一电压生成电路(110)，其构成为生成具有正的温度特性的第一电压(V<subgt;T2</subgt;)；以及，第二电压生成电路(120)，其构成为具备具有第一导电型的栅极的第一MOSFET(121)和具有与所述第一导电型不同的第二导电型的栅极的第二MOSFET(122)，并基于所述第一MOSFET(121)和所述第二MOSFET(122)之间的栅极阈值电压的差来生成具有负的温度特性的第二电压(ΔV<subgt;TH</subgt;)，基于所述第一电压和所述第二电压的合计电压(V<subgt;T2</subgt;+ΔV<subgt;TH</subgt;)来生成输出电压(V<subgt;REFOUT</subgt;)。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及稳定电压生成电路以及半导体装置。

技术介绍

1、稳定电压生成电路生成并输出以所期望的直流电压值实现稳定的电压。作为稳定电压生成电路，带隙参考广为人知。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2008-251055号公报

技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、在稳定电压生成电路中，大多在较宽的温度范围内要求高精度的输出电压。带隙参考难以充分满足该要求。

3、本公开的目的在于提供能够在较宽的温度范围内生成高精度的输出电压的稳定电压生成电路以及具有该稳定电压生成电路的半导体装置。

4、用于解决课题的手段

5、本公开的稳定电压生成电路具备：第一电压生成电路，其构成为生成具有正的温度特性的第一电压；以及第二电压生成电路，其构成为包括具有第一导电型的栅极的第一mosfet和具有与所述第一导电型不同的第二导电型的栅极的第二mosfet，并基于所述第一mosfet和所述第二mosfet之间的栅极阈值电压的差来生成具有负的温度特性的第二电压，基于所述第一电压和所述第二电压的合计电压来生成输出电压。

6、专利技术效果

7、根据本公开，提供了能够在较宽的温度范围内生成高精度的输出电压的稳定电压生成电路以及具有该稳定电压生成电路的半导体装置。

【技术保护点】

1.一种稳定电压生成电路，包括：

2.根据权利要求1所述的稳定电压生成电路，其中，

3.根据权利要求2所述的稳定电压生成电路，其中，

4.根据权利要求3所述的稳定电压生成电路，其中，

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的稳定电压生成电路，其中，

6.根据权利要求5所述的稳定电压生成电路，其中，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的稳定电压生成电路，其中，

8.根据权利要求7所述的稳定电压生成电路，其中，

9.根据权利要求7或8所述的稳定电压生成电路，其中，

10.根据权利要求1至9中任一项所述的稳定电压生成电路，其中，

11.一种半导体装置，包括：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种稳定电压生成电路，包括：

2.根据权利要求1所述的稳定电压生成电路，其中，

3.根据权利要求2所述的稳定电压生成电路，其中，

4.根据权利要求3所述的稳定电压生成电路，其中，

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的稳定电压生成电路，其中，

6.根据权利要求5所述的稳定电...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉川宽，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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