【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于氧化锆陶瓷基片制备，具体涉及一种氧化锆陶瓷基片的制备方法。
技术介绍
1、如今，氧化锆陶瓷在民用（牙齿、饰品等）和工业（电子、半导体、军工等）上应用广泛。由于氧化锆陶瓷具有高韧性、高抗弯强度和高耐磨性、优异的隔热性能、热膨胀系数接近钢等优点，经常被用于制造薄片、基片、衬垫或其他厚度较小的片材，这些片材在结构部件领域和电子领域（氧传感器、电路基板）中均有应用。
2、陶瓷成型的方法主要有注浆成型、挤压成型、流延成型、3d打印成型等，其中流延成型有样品均一性好、厚度较薄、可大批量生产等优点，所以目前氧化锆陶瓷基片多使用流延成型方法制备生坯，后将生坯烧结成瓷后得到氧化锆陶瓷基片品。烧结技术则包括常压空气烧结、常压流动氧烧结、热压烧结、电场辅助烧结、等离子体烧结等方法，其中，常压烧结使用最为普遍。由于生坯中含有大量粘结剂等，所以烧结过程又多分为2步进行，即脱脂（排胶）、烧结。但是在该制备过程中，一些较薄的片材烧结过程中由于热应力的存在，或者是产品厚度均一性不足、容易在烧结过程中有凹凸翘曲、波浪、表面质量等问题产生。
技术实现思路
1、针对上述技术问题，本专利技术的目的在于提供一种氧化锆陶瓷基片的制备方法。
2、为实现上述目的，本专利技术提出如下解决方案：
3、一种氧化锆陶瓷基片的制备方法，其特征在于，包括：
4、s1、制备氧化锆陶瓷基片生坯；
5、s2、将生坯进行静水压处理后，按照承烧板、陶瓷板、生坯、陶瓷板依次堆叠得
6、s3、将坯体进行预烧结，使生坯转变成预烧结坯体；
7、s4、将预烧结坯体取出，再按照承烧板、陶瓷板、预烧结坯体、陶瓷板和承烧板依次堆叠后，进行烧结，得到氧化锆陶瓷基片；所述陶瓷板为氧化锆板或氧化铝板。
8、作为优选，步骤s4中，所述预烧结坯体的数量为4~10片；所述预烧结坯体上方的承烧板总重量与预烧结坯体总质量的比例为30~100:1；所述陶瓷板的粗糙度＜0.5μm；所述陶瓷板的质量为50~100g。
9、作为优选，步骤s4中，所述烧结包括升温至1280~1400℃保温120~360min；所述升温速率为0.5~2℃/min。
10、作为优选，步骤s3中，所述预烧结包括先升温至400~680℃保温100~300min，然后升温至1150~1200℃保温120~240min；所述升温的速率为0.3~1℃/min。
11、作为优选，步骤s2中，所述生坯的数量为3~6片；所述生坯的厚度为100~200μm；所述陶瓷板的粗糙度＜0.5μm；所述陶瓷板的质量为50~100g。
12、作为优选，步骤s1包括：
13、（1）配制胶黏剂；
14、（2）将氧化锆陶瓷基片前体粉料、甲苯、乙醇、分散剂进行一次球磨后，加入胶黏剂，进行二次球磨，得到生坯料；
15、（3）将生坯料进行脱泡、流延得到氧化锆陶瓷基片生坯。
16、作为优选，步骤（1）中，所述胶黏剂采用甲苯、乙醇、dop（邻苯二甲酸二辛酯的缩写）和pvb（聚乙烯醇缩丁醛酯的缩写）树脂配制而成；且胶黏剂中，甲苯、乙醇、dop和pvb树脂的质量比为10:2~3:3~4:3~5。
17、作为优选，步骤（2）中，所述氧化锆陶瓷基片前体粉料选自氧化锆粉、钇和/或铈掺杂的氧化锆粉；所述分散剂为聚合物分散剂；所述聚合物分散剂为pvp、pva、psa中的一种或多种；
18、所述氧化锆陶瓷基片前体粉料与甲苯、乙醇的的质量比为10:3~4:1~2；
19、所述分散剂的添加量为氧化锆陶瓷基片前体粉料质量的0.5~1.5%；
20、所述胶黏剂的添加量为氧化锆陶瓷基片前体粉料质量的25~60%。
21、作为优选，步骤（2）中，所述一次球磨的时间为8~20h；所述一次球磨的球料比为1:1.5~1:3；
22、所述二次球磨的时间为12~24h；
23、作为优选，步骤（3）中，所述脱泡的真空度为-0.05~-0.1 mpa；所述脱泡的时间为0.5~3小时，搅拌速度10~40rpm。
24、作为优选，步骤（3）中，所述流延得到的片材厚度为100~200um；所述流延的烘道温度为35~80℃。
25、作为优选，步骤s2中，所述静水压处理的压力为30~100mpa，静水压处理的时间为20~90min，静水压处理的温度为40~70℃。优选在静水压处理前将生坯使用尼龙膜袋进行真空包装处理。
26、与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
27、本专利技术的制备方法中，经过配料、流延法制备陶瓷坯体和对陶瓷坯体等静压处理后，再经叠坯后，进行升温预烧结，提供一定的强度和硬度，再在后续烧结过程中通过增加适合的承压板，进行烧结，能够制备出厚度均一性好、产品表面质量高、平整度高、弯曲强度高、翘曲度低于400μm、密度较高、基片晶粒结晶度好、结合紧密的氧化锆陶瓷薄片。
28、附图说明
29、为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
30、图1为本专利技术的预烧结坯体进行烧结时的堆叠体示意图。
31、图2为实施例1制备的产品的sem图。
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1.一种氧化锆陶瓷基片的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的氧化锆陶瓷基片的制备方法，其特征在于，步骤S4中，所述预烧结坯体的数量为4~10片；所述预烧结坯体上方的承烧板总重量与预烧结坯体总质量的比例为30~100:1；所述陶瓷板的粗糙度＜0.5μm；所述陶瓷板的质量为50~100g。
3.如权利要求1所述的氧化锆陶瓷基片的制备方法，其特征在于，步骤S4中，所述烧结包括升温至1280~1400℃保温120~360min；升温速率为0.5~2℃/min。
4.如权利要求1所述的氧化锆陶瓷基片的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述预烧结包括先以升温速率为0.3~1℃/min升温至400~680℃保温100~300min，然后再以升温速率为0.5~2℃/min升温至1150~1200℃保温120~240min。
5.如权利要求1所述的氧化锆陶瓷基片的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述生坯的数量为3~6片；所述生坯的厚度为100~200μm；所述陶瓷板的粗糙度＜0.5μm；所述陶瓷板的质量为50~100g。
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